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31件 - メーカー・取り扱い企業
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62件 - カタログ
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PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…
TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラストウェル 本社
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PR少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…
【取扱商品】 *CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 *プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクルチェック用・COP対策品等) *SOIウェーハ:高抵抗デバイス層、基板も対応可、ウェーハを支給していただきSOIウェーハへ加工することも可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価
市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオー...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析
SEM像の3D化でリークパスを確認
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像と...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ppb~pptレベルのバルク濃度を評価します
変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法:ICP-MS・GDMS 製品分野:パワーデバイス・製造装置・部品 分析目...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析が可能...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価
PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察
ス)マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察(HAADF-STEM像)を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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膜厚・密度・結合状態を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR(X線反射率法) および結合状態をXPS(X線光電子分光法)で評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定
SiC中積層欠陥の検出事例
SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス(PL)法があります。 マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能
化学結合状態を評価することができ、波形解析により更に詳細な評価をすることが可能です。加えて、波形解析結果に仮定パラメータを用いることで、表面酸化膜等の膜厚を算出することも可能です。 本資料では、SiC表面の組成・状態評価を行うとともに、取得したピーク強度から酸化膜厚を算出した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます
らの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法:蛍光寿命測定 製品分野:パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的:故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…
S,TOF-SIMS分析でできること ■各手法の詳細情報 ・XPS X線光電子分光法 ・TOF-SIMS 飛行時間型二次イオン質量分析法 ■分析事例 ・XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価 ・Cu表面の酸化状態の定量 ・XPS多点測定による広域定量マッピング ・XPSによるDLCの評価 ・リチウムイオン二次電池におけるLiの結合状...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント
高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM(透過電子顕微…
法 ■コントラストの要因 ■TEM、STEMの使い分け ■超高分解能HAADF観察 <TEMの応用と事例> ■分析事例 ・雰囲気制御&冷却下でのTEM分析 ・SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価 ・微細トランジスタの構造評価 ※小冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 “カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価
イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価
極浅い領域でも高感度に分析
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Scanning Microwave Microscopy
場合、1015~1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・キャリア濃度に線形に相関した信号が得られるため、仮定のもとに定量 評価(半定量)が可能 ・AFM像の取得も可能 ・Si, SiC, GaN, InP, GaAs 等の各種半導体が計測可能 この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成…
ワイドギャップ半導体材料として用いられるSiCやGaNは耐薬性が高いため完全溶解することができず、化学分析での不純物分析が困難でした。 一方、ワイドギャップ半導体市場が年々増加する中で、多くの元素を感度よく測りたいという分析ニーズも増えてき...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法:XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野:パワーデバイス・照明 分析目的:微量濃度評価・構造評価・形状...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)
誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer P...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…
SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素(H,C,O,Fなど)の分布についても評価可能です。評価したい元...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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目的に応じた分析条件で測定します
市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能
市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIM...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。Cha...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSI...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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不純物元素の定量評価が可能です
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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