• 1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機 製品画像

    1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機

    PRシングルチャンバーで各種洗浄からスピン乾燥まで完結。省スペース設計で研…

    『1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機』は、 高圧スプレーや超音波スプレー、薬液等の非接触洗浄、 ブラシ等の接触洗浄など、様々な組み合わせが可能な洗浄機です。 1つのチャンバーで洗浄からスピン乾燥まで完結し、 省スペース設計のため、設置スペースとコストの削減に貢献します。 各種装置構成、薬液構成、目的とする洗浄性能やご予算など、 ニーズに応じて最適な装置構成をご提案可能です...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ゼビオス(XEVIOS CORP.,)

  • SMT実装機(基板実装機)『SIPLACE TX micron』 製品画像

    SMT実装機(基板実装機)『SIPLACE TX micron』

    PR0201mサイズの極小部品に対応。サブモジュールやSiPなどの先端パッ…

    『SIPLACE TX micron』は、最小±10 μm (3σ)の精度に対応した 先端パッケージング用途に適した表面実装機です。 基板への接触を検出してから部品を離す“圧力制御”により 基板の反りや振動を抑えつつ、はんだブリッジといった不良も防止。 角度の誤差が少なく、狭隣接で実装できるほか 0201 mサイズの極小部品の実装に対応可能です。 【特長】 ■最大実装速度...

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    メーカー・取り扱い企業: ASMPT Japan株式会社

  • SiCデバイスの裏面発光解析 製品画像

    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察 製品画像

    LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

    SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

    当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • パワー半導体の解析サービス 製品画像

    パワー半導体の解析サービス

    故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

    分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • XPSによるバンドギャップの簡易測定 製品画像

    XPSによるバンドギャップの簡易測定

    XPSを使用して簡易的に測定することが可能!酸化物系以外の半導体もお問…

    【測定例】 ■Ga2O3のバンドギャップ:O1sを測定 ■SiCのバンドギャップ:Si2pを測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析 製品画像

    短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

    Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…

    当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • sMIMによる半導体拡散層の解析 製品画像

    sMIMによる半導体拡散層の解析

    濃度の変化をCの変化として検出!dC/dV信号も取得でき、拡散層の解析…

    られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C:Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の      可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV:拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳し...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

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