SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

XPSによるバンドギャップの簡易測定

XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問…

【測定例】 ■Ga2O3のバンドギャップ：O1sを測定 ■SiCのバンドギャップ：Si2pを測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス