• 【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定 製品画像

    【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

    PRmm単位を超える広い面内測定範囲!多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

    当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社新興製作所

  • 厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】 製品画像

    厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

    PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

    重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

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    メーカー・取り扱い企業: 共栄電資株式会社

  • SiCデバイスの裏面発光解析 製品画像

    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察 製品画像

    LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

    SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

    当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • パワー半導体の解析サービス 製品画像

    パワー半導体の解析サービス

    故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

    分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • XPSによるバンドギャップの簡易測定 製品画像

    XPSによるバンドギャップの簡易測定

    XPSを使用して簡易的に測定することが可能!酸化物系以外の半導体もお問…

    【測定例】 ■Ga2O3のバンドギャップ:O1sを測定 ■SiCのバンドギャップ:Si2pを測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 【評価用パターンウェハー】小ロット~カスタマイズオーダーまで対応 製品画像

    【評価用パターンウェハー】小ロット~カスタマイズオーダーまで対応

    数枚の試作加工でも問題無く受け付けており、マスクの設計から断面の寸法測…

    【その他の特長】 <化合物半導体> ■SiC/GaAs/GaN/LN/サファイアを始め、様々な化合物素材を1枚から安価で販売 ■必要な仕様を開示いただければ、近い仕様の在庫品を提案 ■特殊な仕様の受注生産や、まとまった数量の安定供給も可...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析 製品画像

    短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

    Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…

    当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • sMIMによる半導体拡散層の解析 製品画像

    sMIMによる半導体拡散層の解析

    濃度の変化をCの変化として検出!dC/dV信号も取得でき、拡散層の解析…

    られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C:Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の      可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV:拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳し...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • ウェハー加工 製品画像

    ウェハー加工

    「評価用パターンウェハー」「シリコンウェハー販売」「化合物半導体」のご…

    【その他の特長】 <化合物半導体> ■SiC/GaAs/GaN/LN/サファイアを始め、様々な化合物素材を1枚から安価で販売 ■必要な仕様を開示いただければ、近い仕様の在庫品を提案 ■特殊な仕様の受注生産や、まとまった数量の安定供給も可...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

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