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PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…
TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラストウェル 本社
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PRコンパクト設計のCMP研磨機。研究開発にお勧めです!
卓上CMP研磨機『EJ-380IN-CH-D』は、コンパクトなボディで設置場所を省スペースに抑えます。試料片研磨加工や多種少量部品の研磨等の研究開発用途だけでなく、本格的な精密研磨加工まで幅広いニーズに対応できる卓上ラップ装置です。 <特徴> ・精密鏡面加工の自動化 ・耐薬品性に優れたボディ設計 【使用可能定盤外径 : Φ380 mm】 また、本装置を2024年10月2日...
メーカー・取り扱い企業: 日本エンギス株式会社
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…
分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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XPSを使用して簡易的に測定することが可能!酸化物系以外の半導体もお問…
【測定例】 ■Ga2O3のバンドギャップ:O1sを測定 ■SiCのバンドギャップ:Si2pを測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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【評価用パターンウェハー】小ロット~カスタマイズオーダーまで対応
数枚の試作加工でも問題無く受け付けており、マスクの設計から断面の寸法測…
【その他の特長】 <化合物半導体> ■SiC/GaAs/GaN/LN/サファイアを始め、様々な化合物素材を1枚から安価で販売 ■必要な仕様を開示いただければ、近い仕様の在庫品を提案 ■特殊な仕様の受注生産や、まとまった数量の安定供給も可...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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濃度の変化をCの変化として検出!dC/dV信号も取得でき、拡散層の解析…
られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C:Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV:拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳し...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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