• 資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】 製品画像

    資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】

    PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!

    エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...

    メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】

  • 【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】 製品画像

    【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

    PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能!石英ガラス、純モ…

    拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

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    • Si-SiC素材 拡散接合による溝形状、深穴形状形成のご提案2 1.png

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トップ精工

  • 太陽電池作製装置(Si系、CIGS系太陽電池作製用のCVD装置) 製品画像

    太陽電池作製装置(Si系、CIGS系太陽電池作製用のCVD装置)

    高周波プラズマCVD法およびホットワイヤーCVD法を用いた微結晶SiC

    本装置は高周波プラズマCVD法およびホットワイヤーCVD法を用いた微結晶SiC太陽電池を作製することが可能な装置です。太陽電池における光吸収層であるi層、およびpn層の各層が分離形成できるように、3つの薄膜堆積チャンバー、試料搬送用ロボットチャンバー、試料ストックチャンバー...

    メーカー・取り扱い企業: 北野精機株式会社

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