資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 ３ GHｚ ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット ・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

太陽電池作製装置（Si系、CIGS系太陽電池作製用のCVD装置）

高周波プラズマCVD法およびホットワイヤーCVD法を用いた微結晶SiC…

本装置は高周波プラズマCVD法およびホットワイヤーCVD法を用いた微結晶SiC太陽電池を作製することが可能な装置です。太陽電池における光吸収層であるi層、およびpn層の各層が分離形成できるように、3つの薄膜堆積チャンバー、試料搬送用ロボットチャンバー、試料ストックチャンバー...

メーカー・取り扱い企業： 北野精機株式会社

オンライン密度計式　CMPスラリー濃度計

国内外での実績豊富。スラリーの固形分濃度の算出。ノーメンテナンス　3年…

です。 　濃度調整用のほか、再生用や戻り（リターン）配管への設置など、様々なポイントに設置できます。 　砥粒についてもシリカ、アルミナ、酸化セリウム他、様々な素材に対応可能です。Si用のほか、SiC用にも対応します。 　接液材質の変更も可能な連続測定用センサーのため、アルカリにも対応し、幅広い可能性を秘めています。密度を直接測定し、濃度に多項式で換算するため、再現性の高さに自信があります。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

グラフェン結晶薄膜・表面分析装置

MBE成膜機構や表面熱分析機構、RHRRD結晶構造解析システムなどで構…

当製品は、「MBE法」と「表面熱分解法」を併用したグラフェン結晶薄膜 成長機構とRHEED/LEED表面分析機構を連結したinsituシステムです。 6H-SiC微傾斜([1-100]4°off]基板の(0001)面(Si面)を用いて、 グラフェンの成長を行った際、回折パターンよりグラフェンの形成を 確認。 また、顕微Raman測定でもグラフェン...

メーカー・取り扱い企業： ケニックス株式会社

マイクロ波合成ソリューション

あらゆる化学反応、スケールに、常に対応する製品ファミリー

開発は、幅広いアプリケーションに適した新しい反応経路への道を開きます。 MAS 24とMonowave 300を使用したシーケンシルメソッドの最適化、またはSynthos 3000の炭化ケイ素(SiC)ローターによるパラレル最適化を実行すれば、化学者の日常的な作業負荷は大幅に軽減されます。 ■パラレルスケールアップ 様々なグラム範囲にパラレルスケールアップする場合は、Rotor 16を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン

スウェーデンレドックス社(Redox.me)電極&セル

インターケミ(株)はスウェーデンのレドックス社(Redox.me)の総…

学フローHセル 磁気マウントガス拡散電極X線回折電気化学セル 磁気マウントラマン電気化学フローセル バインダーキット(機能的なコーティング(例えば電極)に使用できる結合剤) カーボン基板、SiC上の単層グラフェン、グラファイトインクなどの実験薬品 ナフィオン膜、フマセップ、クォーツファイバー膜、PTFE膜、ナノポーラスPEEK膜、ガラス繊維膜 切り替え可能な LED 光源 など...

メーカー・取り扱い企業： インターケミ株式会社

くし形電極加工（オーダメイドでパターンチップを作成します）。

各種金属を薄膜〜パターン加工した「くし型電極チップ」です。 電極構成…

、Ag、Pt、Cu、Ti、Cr、Ni、Al、DLC、ITO、その他金属、合金等 ■誘電体膜 各種金属酸化物、窒化物、絶縁膜等 ■対応基板 各種ガラス、樹脂、フィルム、 各種ウェハー(Si、SiC、Ge、GaN等) ■ワークサイズ 150mmまで対応可能です。 ２）微細パターン加工精度 電極線幅 数μm、電極間隔:数μm　膜厚:数十nm〜数μm程度 ３）基板調達から成膜...

メーカー・取り扱い企業： 安達新産業株式会社 本社

シリコンブロック内部異物検査装置

シリコンブロック内部異物検査装置

IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…

【測定対象】 半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの規格】 サンプルサイズ ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm サンプル厚さ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アントンパール・ジャパン