資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様 ・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様 ・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様 〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。 〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。 〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。 【S...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ケニックシステム 東京オフィス

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiCウェーハのエッチピットの形状解析

SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で…

パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X...

メーカー・取り扱い企業： 東芝ナノアナリシス株式会社

SiC/GaNデバイスモデル搭載回路シミュレーターScideam

SiC/GaNデバイスモデルを搭載　損失解析が可能な回路シミュレーター…

SiC/GaNデバイスモデルを搭載した国産の高速回路シミュレーター、Scideam（サイディーム）をご紹介させて頂きます。 25年以上の歴史のある演算アルゴリズムと新たに開発した回路エディター、波形ビューワーにより快適なシミュレーション環境を提供します。 開発初期段階でご利用いただくことにより、仕様未達や不具合などの要因をあらかじめ潰すことができ、設計期間とコストを削減できます。いわゆる「フロントロ...

メーカー・取り扱い企業： 穂高電子株式会社 パワエレソリューション

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

ウェハ表面解析

短時間で測定データの収集が可能！前処理が不要で、試料の再利用ができます

10V」による、ウェハ表面解析 を受託いたします。 カンデラでは、微小欠陥を画像データとして検出可能。欠陥の発生マップと 個別欠陥状況の双方が観察できます。 対象材料はサファイア、SiC、GaN、他化合物半導体で、適用サイズは φ2インチ～φ6インチ ウェハ（t1mm以下）となっております。 【特長】 ■短時間で測定データの収集が可能 ■前処理が不要、試料の再利用が可...

メーカー・取り扱い企業： シンコー株式会社

短絡耐量評価・解析レポート

短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！

株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

次世代自動車向け熱マネジメント ソリューション

自動車関連の熱設計・熱対策の課題を解決する特設WEBサイト必見！　～三…

コンテンツを交えて、ソリューションを提供いたします。 また、製品に関する資料もダウロード可能ですので、是非ご活用ください。 ■サーミスタセンサ 　・LEDの熱による劣化を抑えたい 　・SiCパワー半導体に対応した耐熱品が欲しい 　・急激な温度変化をレスポンス良く測りたい 　・センサの構造、形状を相談したい ■AuSnペースト 　・AuSnの厚み・形状を自在に変更したい ...

メーカー・取り扱い企業： 三菱マテリアル株式会社 高機能製品カンパニー　電子材料事業部　営業部

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

第一原理計算 材料シミュレーションmatelierPHASE/0

第一原理計算による材料シミュレーション「matelier PHASE/…

基づくパラメータは必要ありません。実験結果の解釈や、新規材料の物性値予測にもご活用いただけます。 【 主な解析対象 】 半導体（IV族、III－V族、窒化物、酸化物、シリサイド系；Si, SiC, GaN, Ga2O3, ZnOなど） / 誘電体（high-k, low-k、強誘電体、圧電体） / 磁性体（強磁性体、ハーフメタル） / 有機化合物（分子性結晶） / 金属（合金） / 鉱物...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アスムス

PICS3D(Fabry-Perot Edition)

2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

Film Deposition&Heat Treatment

Equipped with various film depositi…

PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【高精度】『基板のエッジ／表面研磨の受託開発・加工 サービス』

基板の形状・面精度、強度がアップ！後工程での破損・荒れも防ぎ、歩留まり…

歩留まりや品質改善を実現できます。 【特長】 ■φ8mm～φ450mmまでエッジ加工可能 ■研磨加工後のスクラブ洗浄可能 ■評価設備も充実！加工前後の品質確認や評価も対応 ■チタンやSiCなど難削材の鏡面加工も対応できる ※詳しくはカタログダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： Mipox株式会社

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiC MESFETの3次元シミュレータ

SiC MESFETの3次元デバイス解析ツール

MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。...＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS

多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター　PICS3D

モード、光学利得、光強度、スペクトル、キャリア分布、バンド、波動関数な…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】半導体プロセス＆デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)

2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム（旧…

, InGaAlAs, etc.) ■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.) ■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.) ■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.) ...

メーカー・取り扱い企業： クロスライトソフトウェアインク日本支社

京セラの薄膜技術／薄膜成膜　1

卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付…

T） 微小変位の制禦できる、圧電薄膜。 ・サーミスタ薄膜（Cr-Al） 温度による抵抗値変化が適当であり、測定しながら 細かな温度制禦ができる、サーミスタ特性をもつ薄膜。 ・高硬度薄膜（SiC,ダイヤモンドライクカーボン：DLC） 母材にやさしい、250℃以下の低温成膜による、 密着性のよい、用途に応じた高硬度薄膜。 ・光触媒薄膜（TiO2） 紫外光を浴びることで、有機物を分解...

メーカー・取り扱い企業： 京セラ株式会社 プリンティングデバイス事業本部