資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様 ・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様 ・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様 〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。 〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。 〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。 【S...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ケニックシステム 東京オフィス

「切る技術」シングルワイヤーソーとは？

マルチワイヤーソーでは加工が困難な大口径材料や厚板品の加工が可能！高価…

イヤーを使用した固定砥粒方式を採用しておりますので高価な材料の加工ロスを大幅に削減できます。 【主な対応素材】 窒化アルミ AlN / アルミナ Al2O3 / サファイア /炭化ケイ素 SiC/ 銅 Cu/モリブデン Mo/タングステン　W/銅モリブデン/銅タングステン/ 石英ガラス / ニオブ酸リチウム LiNbO3 / タンタル酸リチウム LiTaO3 / チタン酸バリウム ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

「磨く」技術のご紹介！両面研磨・片面研磨が可能※加工事例進呈

ラッピング加工、ポリシング加工（鏡面研磨法）の2つの手法を用いてご希望…

を用いて ご希望の表面粗さに仕上げさせて頂きます。 【当社の磨く技術の特徴】 ■幅広い難削材の加工に対応可能 ■数千～数万個を同時に加工OK ■パワー半導体市場でニーズが拡大しているSiC単結晶は外形加工・切断加工から鏡面研磨加工まで一貫対応可能 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくかお気軽にお問合せください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』

最大到達温度1,000℃！試作開発用途のほか、インラインシステムにも組…

『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの 真空・プロセスガス高速アニール装置です。 SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を 要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や 「VPO-1000-300」をラインアップしています。...

メーカー・取り扱い企業： ユニテンプジャパン株式会社

セントロサーム　真空はんだリフロー炉

ボイドレス、フラックスレスリフローに対応したバッチ式の真空リフロー炉で…

など豊富なラインナップを取り揃えており、太陽電池や半導体分野の熱処理工程に貢献しています。 日本国内では、2006年から伯東株式会社が総代理店として同社製品の販売と保守サービスを担ってきました。SiCパワーデバイスやMEMSセンサーをはじめとした大手デバイスメーカーの量産シーンで多数実績があります。...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

【特殊形状】メタルスキージ　実装・SMT 印刷機用

セラミックコーティング（Sicめっき）処理による高耐久性！　先端部の特…

メタルスキージ表面にセラミックコーティング１０ミクロンの表面処理を施し、本体はしなやかに、表面は硬く、仕上がっております。 スキージ先端部を薄く研磨加工しております。　刃先部分が薄くなる事でフレキシビリティ（柔軟性）が出ます。 柔軟性が上がることで、メタルマスク（ステンシル）に追随することが 出来るため、クリームはんだの充填性が安定します。 【特長】 ◆　先端部の段差加工：　印刷...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東京製作所

フレキシブル シンタリングシステム『SIN200+』

次世代パワー半導体モジュールのシンタリング（焼結）接合試作＆量産装置

テム『SIN200+』は、従来ののSn系はんだ材に代わる新しい接合技術で、パワー半導体モジュールのシンタリング(焼結）によるダイアタッチ接合のR&D試作評価から量産までの用途に対応できます。特に、SiCパワー半導体に最適です。 真空チャンバー内での加熱、シンタリング（加圧）、冷却の全工程で、サブストレート温度、雰囲気圧力および、プロセスガスを、リアルタイムで正確に制御することができ、併せて...

メーカー・取り扱い企業： ピンク・ジャパン株式会社

焼結ダイヤモンドの研削 加工事例

PCDの高速高圧研磨を実現！高速高圧研削加工

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)、PCD（焼結ダイヤモンド）などの基板は 硬く脆い性質を持った研磨加工の難しい素材です。 その中でも、特に加工の困難な焼結ダイヤモンド...

メーカー・取り扱い企業： 日本エンギス株式会社

SiCの研削 加工事例

SiCの両面研削を実現！両面研削加工

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事...

メーカー・取り扱い企業： 日本エンギス株式会社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社