SiC | イプロスものづくり

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。また、塑性変形の発生を抑えることもできます。拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。【拡散接合実績材質】・アル...

メーカー・取り扱い企業：株式会社トップ精工

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・S…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイス…

P Semiconductor Co., Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国　青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバイスコストの 50% 以...

メーカー・取り扱い企業：武蔵野物産株式会社

SiC (MOSFET/SBD) モジュール

装置の小型化、高効率に貢献　SiCパワーモジュール

(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC パワーモジュールを共同開発 SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

半導体装置に最も適した材料！様々な用途で発揮されるソリッド SiC

ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。ソリッド SiCは、東海カーボン独...

メーカー・取り扱い企業：東海カーボン株式会社

SiCダミーウェハ「超高純度、高耐熱性、高耐摩耗性を実現」

独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱…

超高純度で耐食性及び耐熱性に優れているSiCダミーウェハは、長期のリサイクル使用が可能で、LP-CVD、高温拡散、CMP工程にてご使用頂けます。 ◆コストダウンに貢献　・長期のリサイクル使用が可能　・超高純度で耐食性及び耐熱性...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オリナス東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

チGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など研究開発実験用品に適しています。コスパに優れています。...

メーカー・取り扱い企業：インターケミ株式会社

常圧焼結SiCセラミックス (CERASIC)

優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます！

CERASIC常圧焼結SiCセラミックスは耐磨耗・耐食性が要求される機械部品に最適な材料です。半導体及びFPD製造用部材としても様々な用途開発が進められており、高純度品としてCVD被膜を施した製品の供給も可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。技術革命の先駆けとなる情報が今...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現しま…

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。 SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。そこ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ティ・ディ・シー

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は中国湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics...

メーカー・取り扱い企業：岡谷鋼機株式会社名古屋本店

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCウェーハ

SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …

SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体材料と...

メーカー・取り扱い企業：株式会社豊港半導体材料事業部

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に開発された SiCモジュールです。銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、高い信頼性と長寿命設計が特長です。【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

【株式会社トリニティー】SiCウエハー

次世代パワー半導体　SiCウエハー

【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載や鉄道車両、冷蔵庫...

メーカー・取り扱い企業：株式会社トリニティー

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された三相水冷式SiCモジュールです。銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を実現します。【特...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

を超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

SiCデバイス市場は、2023年に10億米ドルの市場価値から、2035年までに110億米ドルに達すると推定されています。シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています。SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家庭用電...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。【特長】 ■銀焼結及び高...

メーカー・取り扱い企業：エルピーエステック株式会社

ICSシリーズ(SiC_SBD)

SiCによる高電流、高耐圧特性と、高速リカバリ特性により電源の高効率化…

弊社のICSシリーズは、SiCを材料としたショットキーバリアダイオードです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高電流、高耐圧特性とショットキーバリアダイオードの高速リカバリ特性を両立しております。電源回...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクションバリアショットキー)構造を採用。スイッチ...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

SiCインゴット

SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社豊港半導体材料事業部

SiC / 単結晶炭化ケイ素 / シリコンカーバイド

高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板と国内加工のカスタマイズ製品をご提供いたします。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

【その他の基本仕様(一部)】 ■結晶構造：GaN on Sapphire/GaN on Silicon/GaN on SiC ■Sub墓板：サファイア基坂/シリコン基板/SiC基板/GaAs基板 ■梱包：クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース ※詳しくはPDF資料をご覧いただ...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮

/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、貴重な基板スペースを節約することができます。【特長】 ■コアレスト...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

高純度黒鉛製品「半導体をはじめ様々な産業で活躍」

半導体をはじめ様々な産業で活躍　高密度/高純度な特殊炭素材料　Si…

高純度黒鉛材料は、半導体製造工程で幅広く使用されています。さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンは、エピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。【特徴】　・半導体をはじめ様々な産業で利用（...

メーカー・取り扱い企業：株式会社渡辺商行

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ハ…

【取扱商品】＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクル...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

【POTENS】600V以上高耐圧品　MOSFET相当品情報多数

汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ …

FETを中心に300品種以上を保有。＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。＊クロスリファレンスは、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。＊サンプルをご希望の際は...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

パワー半導体デバイス

脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス

道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス　モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュールや制御回路、保護回路を搭載し...

メーカー・取り扱い企業：株式会社カナデン本社

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

iN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、Al-Si、Al-Si-Cu、Ni、W、W-Si-Cu その他 Poly-Si、a-Si、SiC、Low-k(SiOC系、有機化学系）、グラフェン膜、グラファイト＊SiO2,SiN,SiONなど膜種により1枚からでも対応が可能です。＊Suputter成膜にてTi,Cu,Cr,...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを迅速に実現するための基本構成を提供。ソフトスイッチングトポロジーと...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

制御ソフトウェア開発用コントローラボード　HECS-B/A

コンパクトサイズに多彩な機能を搭載

T-KIT-B ＜制御器/オプション＞ ■HECS用拡張インターフェースボード：HC-EXIF-A ■HECS用操作ボード：HC-OP-A ＜主回路/ハーフブリッジ・双方向スイッチ＞ ■SiCパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2A-401350 ■GaNパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2B-401150 ■双方向スイッチ回路ブロック(SiC)：HGCB-2C-40...

メーカー・取り扱い企業：ヘッドスプリング株式会社

半導体材料『酸化ガリウム』

日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます

『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、高速な成長が可能な半導体材料です。気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が可能とされています。また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー本社

ワイドギャップ半導体

SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供

当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体であるワイドバンドギャップ半導体の製品・サー...

メーカー・取り扱い企業：セラミックフォーラム株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

プ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、ハイブリッド車や電気自動車に好適。当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケールが容易で、インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

Alpha Power Solutions

アルファ・パワー・ソリューションズ（APS）は、中華圏初の6インチ炭化…

シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適化されたSiC製品を顧客に提供し、様々なのグリーンエネルギーに貢献することです。...

メーカー・取り扱い企業：リバウンドエレクトロニクス株式会社本社

シリコンカーバイドパワー半導体市場の調査レポート

炭化ケイ素パワー半導体市場は、予測期間2022年から2031年にわたっ…

て課された国ごとの封鎖は、製造業の大部分が生産性を高めるために協力しながら密接に接触している工場現場での作業を含むため、世界中のサプライチェーンと製造業務に打撃を与え、混乱をもたらしました SiC(炭化ケイ素)は、広いバンドギャップにより、高出力アプリケーションに使用されます。SiCには様々なポリタイプ(ポリモルフ)が存在するが、4H-SiCはパワーデバイスにとって最も理想的である。強化さ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業：三星ダイヤモンド工業株式会社

GaN RF半導体デバイス市場の調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は、予測期間(2021-2026)にわた…

SiCとの競争の激化は、SiCがGaNよりも高い熱伝導率を有するため、GaN RF半導体の市場シェアを妨げる可能性があり、SiCデバイスは理論的にはGaN. よりも高い電力密度で動作することができる。 COVID-19による進行中の危機は、業界が直面する課題にもかかわらず、技術進歩の原動力として機能する可能性があります。一方、場合によっては、5Gはすでにその価値を証明しています。例えば、武漢(中国...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

【資料】しるとくレポNo.12　＃ダイオードの種類と特長

SiCデバイスを使って電源を効率化！ダイオードの種類と特長について簡単…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリアダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

応が可能です。「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする...

メーカー・取り扱い企業：日本エクシード株式会社