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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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新東独自の成形技術「浸透Vプロセス」で大型形状品や複雑形状部品の一体成…
材の選定からご提案いたします。 取扱い素材 ■アルミナ(Al2O3) ■チタン酸アルミ(Al2TiO5) ■ジルコニア(ZrO2) ■ムライト(Al6O13Si2) ■炭化ケイ素(SiC) ■窒化ケイ素(Si3N4) ■コージライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2) ■窒化ホウ素(BN) ■窒化アルミ(AlN) ■マシナブルセラミックス ■サイアロン ■ジルアル...
メーカー・取り扱い企業: 新東Vセラックス株式会社
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【動画公開中!】フェローテックの製品は見えないところでビジネスやインフ…
製造と販売を見据えて世界各国に根を張る拠点を配置しています。 【グループ会社製品項目】 ■装置関連事業 ・真空シール ・石英製品 ・セラミックス製品 ・シリコン製品 ・SiC製品 ・ウエーハ製品 ■電子デバイス事業 ・サーモモジュール ・磁性流体 ・パワー半導体用基板 ■太陽電池関連事業 ・シリコン結晶製造装置 ・石英るつぼ ・太陽電池用シリコン ※そ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フェローテックホールディングス
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日本ピラー工業のロータリージョイント(回転継手)は、メカニカルシールで…
ニカルシールで得た 経験と技術を応用した製品です。 【特長】 ・接液部流路は、金属汚染に配慮しPEEK材で構成しております。 ・シール端面(摺動面)は、耐薬品性・耐スラリ性に優れるSiC(炭化ケイ素)を採用。 ・負圧から正圧まで、広範囲に使用可能です。 ・禁油処理は、もちろん「洗浄⇒組立⇒包装』を一貫して、クリーンルーム内で行っております。 ※本ページでは、 シ...
メーカー・取り扱い企業: 日本ピラー工業株式会社
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カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法
水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…
三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。 独自の技術である「スクライブ&ブレイク」に...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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