★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』

PR高機能・高品質のアルミ溶解炉。当社のベストセラーモデル"アル…

お客様の運用面・ニーズにお応えできる、多様性を備えたアルミ溶解炉の ベストセラーモデル"アルキープ3姉妹"のご紹介！ アルキープの最大の特長である独自設計の「溶湯プール部」を備え、 溶解室で溶湯を昇温し、溶湯は常にクリーンな状態を維持できます。 【アルキープ3姉妹】 ■アルキープ 　当社独自設計の「溶湯プール部」を備えた元祖モデル。 　溶解室の形状変更により、さらに耐久性・省...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＴＯＫＡＩ

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・S…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

【その他の基本仕様(一部)】 ■結晶構造：GaN on Sapphire/GaN on Silicon/GaN on SiC ■Sub墓板：サファイア基坂/シリコン基板/SiC基板/GaAs基板 ■梱包：クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース ※詳しくはPDF資料をご覧いただ...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

オプトエレクトロニクス部品

光通信用バタフライパッケージや低速＆低コスト型HTCCパッケージなどを…

までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ＜Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック＞ ■CuW/ヒートシンク ■Al2O3,ALN,SiC基板 ■高信頼性薄膜技術 ■AuSn共晶パッド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

シリコンウェハー

お客様のご要望に合ったシリコンウェハーを提供いたします！

【その他取扱製品】 ■各種薄膜成膜加工 ■ガラスウェハー ■サファイアウェハー ■SiCウェハー ■カーボン ■ゲルマニウム ■石英、水晶などその他 ■オプトエレクトロニクス部品 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社