クラスター装置『Morpher』

デバイス量産へ、優れたプロセス品質、信頼性、高スループットを提供！

各種 ＜処理温度と容量＞ 〇～300℃ 〇最大1000ウエハ／24時間@膜厚15 nm Al2O3 ＜一般的なプロセス＞ 〇1桁秒～のサイクルタイム可能なバッチプロセス 〇Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、メタル 〇バッチ1％未満の1σ不均一性（Al2O3、WIW、WTW、B2B、49 pts、5mm EE） ＜基板ローディング＞ 〇真空クラ...

メーカー・取り扱い企業： PICOSUN JAPAN株式会社

ALD装置（原子層堆積装置）『P-300B』

高品質のALD膜を作り出す！MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜…

なし基板(特注ホルダー) 　・高アスペクト比サンプル(2500：1～) ■処理温度：50～500℃ ■標準処理 　・最小1桁秒までのサイクルタイムでバッチ処理が可能 　・AI2O3、SiO2、Ta2O5、HFO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AIN、TiN およびメタル 　・<1% 1σバッチ内不均一性 （Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE） ■基板の装着 ...

メーカー・取り扱い企業： PICOSUN JAPAN株式会社