★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

アキシャルギャップモータの設計レポートをJMAGにて無料公開中！

PR磁気的等方性を有する圧粉磁心を利用したパンケーキ型超扁平高トルク（アキ…

軟磁性複合材『Somaloy(R)』の3次元磁気特性を有効活用したアキシャルギャップモータの設計レポートを、JSOL社が提供する電磁界解析ソフトJMAGのホームページに一般公開しました。 【設計レポート掲載項目】 ・『Somaloy(R)』材料説明、コア製造工程概要 ・アキシャルギャップモータコンセプト ・モータ諸元、形状、各部材一覧 ・コイル配列等のモデルセットとモーターシミュレー...

メーカー・取り扱い企業： ヘガネスジャパン株式会社

【技術紹介】平滑化技術

半導体レベルの表面粗さ！平滑化技術を用いた精密研磨加工

状評価技術を有しています。 当社は、さまざまな加工素材の研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■平滑化技術を用いた精密研磨加工 ■半導体レベルの表面粗さ ■Cu：Ra 0.16nm ■Al：Ra 0.20nm ■Nb：Ra 0.74nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

iC　・GaN　・GaP　・GaAs　・GaSb　・ZnS　・ZnSe　・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

Si(シリコン)ウェーハ研磨加工

様々なサイズ、厚みに応じた研磨加工が可能です。

Φ200mm ・3mm×3mm～156mm×156m ・矩形も対応可 ・仕上がり厚み：25μm～ ・平坦度：TTV1μm以下 ・パーティクル：0.2μm20個以下 ・表面粗さ：0.3nm以下 ・膜厚制御可能 ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

【加工素材】化合物半導体ウェーハ

SiC・GaN・GaPなど！さまざまな化合物半導体結晶の研磨加工が可能

研磨ニーズにお応えいたします。 【特長】 ■様々な化合物半導体結晶の研磨加工が可能 ■お客様への納品方法を含め対応できる ■厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値 GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

【加工素材】酸化物ウェーハ

パターン付きウェーハの裏面加工など！酸化物材料の精密研磨加工をご紹介

】 ■対応サイズ：Φ63mm～Φ150mm、3mm×3mm～100mm×100mm ■厚み：20μm～ ■TTV：5μm以下 ■LTV(5mm×5mm)：0.4μm以下 ■表面粗さ：0.2nm以下 ■裏面粗さ：0.1μm～4.0μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

【技術紹介】Si特殊加工

Siウェーハ等の加工素材に対応！さまざまな素材の研磨ニーズにお応えしま…

・Φ12.5mm～Φ200mm、3mm×3mm～156mm×156mm　※矩形も対応可能 ■厚み：25μm～ ■TTV：1μm以下 ■パーティクル：0.2μm20個以下 ■表面粗さ：0.3nm以下 ■膜厚制御が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社