Enovasense Field Sensor

PR高速な不透明膜の厚みマッピング、内部欠陥のエリア検出が可能なレーザーフ…

フランスのEnovasense社のセンサは、レーザフォトサーマル技術を使用した 高性能なセンサで、非接触で不透明体の厚みを測定できます。 本新製品は、従来のシングルポイントセンサと異なり、約１１万点を同時に測定できるエリアセンサです。 不透明体の厚みマッピングだけでなく、表面層下の欠陥、欠け、剥がれの有無を検知できます。 ■特長 　・非接触で下記が測定できます。 　　　☆不透明体の厚みマッピング...

メーカー・取り扱い企業： プレシテック・ジャパン株式会社

フッ素膜【フッ素薄膜処理における真空蒸着法とスプレー法の違い】

PR各処理方法のメリット・デメリットを分かりやすく紹介した資料進呈。受託加…

本資料では、ガラスや金属に撥水性・撥油性・防汚性・離型性などを付与できる フッ素薄膜処理について、真空蒸着法とスプレー法の違いを説明しています。 フッ素薄膜処理は、基材の形状やコストなどの条件に応じた 処理方法の選定が求められます。 フッ素薄膜処理をご検討中の方は、ぜひ本資料をご覧ください。 【掲載内容】 ・フッ素薄膜処理とは ・真空蒸着法、スプレー法とは ・真空蒸着法...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カツラヤマテクノロジー T&K事業部

イーサネット経由で計測制御できるEthernet Nシリーズ

イーサネット経由で離れた場所から検査・計測・制御を実現できるデジタル入…

【主な特長】 ●フォトカプラ絶縁入力、半導体リレー出力【デジタル入出力ユニット】 フォトカプラ絶縁入力16点と半導体リレー出力16点を搭載しています。 ●32ビットアップダウンカウンタ【カウンタ入力ユニット】 3...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社コンテック

400kHz フォトレシーバ (LCA-S-400シリーズ)

最先端のフォトダイオードと低ノイズ・カレントアンプの技術を組合わせた、…

■使用しているフォトダイオードはSi製またはInGaAs製で、波長域はそれぞれ400～1050nm、900～1700nm ■トランスインピーダンスは107V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで9.5×106V...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

紫外 ＋可視光 波長用フォトダイオード

◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量…

の逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

2GHz フォトレシーバ (HSA-X-Sシリーズ)

最先端のフォトダイオードとFemto社製GHzアンプの技術を組合わせた…

■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製で、波長域はそれぞれ320～1000nm／850～1700nm ■Si製モデルのHSA-X-S-1G4-SIは、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は0.8mm ■トランスインピーダンスは5×103V/A ■最小NEPはわずか14pW/vHzで、μWレンジの光パワーレベルでも測定可能...■HSA-X-S／HSPR-X-Iシリー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

OPTO DIODE社　XUV−UV検出用Siフォトダイオード

軟Ｘ線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100％

OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。 取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。...

メーカー・取り扱い企業： ラドデバイス株式会社

ハイブリッド・フォトマルチプライヤー検出器

高効率・高速・高分解能。様々なPicoQuant製品と柔軟にシステム統…

brid は、ダークカウントの少ないペルチェクーラー付きのコンパクトな単一光子検出器です。オーバーロード保護機能と緊急時シャットダウン機能付き、高電圧電源及びプリアンプが内蔵されています。 フォトカソードは3種類 1．青色領域に感度をもつ低ダークカウントバージョン 波長域：220～650 nm 2．標準ユニット 波長域：300～720 nm 、500 nm 最高 45%...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社日本レーザー

Si高速フォトダイオード

◆高速シリコンフォトダイオード ◆800nm波長域にピーク ◆高ハ…

高速シリコンフォトダイオードは800nm波長域にピークを持ち、高ハンド幅応用(100Mbps~1.25GHzまで）仕様のディテクターです。100Mbpsから622Mbpsと1.25Gbpsフォトダイオードの２種類あ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

GaAs / InGaAs フォトミキサー(光伝導アンテナ)

TeraBeam用エミッタ―/レシーバーモジュール

・最先端のフォトミキシング技術を採用 ・GaAs および InGaAsベースの発振器 / 検出器 ・SM/PMファイバーピッグテイルを装備した完全なパッケージモジュール ・最大 100 µW の高出力 ・...

メーカー・取り扱い企業： トプティカフォトニクス株式会社 営業部

フォトマスク

高品質なフォトマスクを短納期、低価格でご提供

　高精度レーザー描画装置と高度に管理されたクリーン環境、長年に亘るノウハウを結集して構築したプロセスにより、高精度かつ高品質なフォトマスクをご提供します。 　徹底的に合理化されたプロセスは製造コストの削減とリードタイムの短縮を実現。高い品質はもちろん、他社に負けない低価格、最短中一日納入の短納期対応の両立を可能としました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 東洋精密工業株式会社

フォトマスク基板検査装置『Torin G8／G10』

測定範囲は最大2100×2000mmまで可能！パソコンにてサーボモータ…

『Torin G8／G10』は、フォトマスク基板にストレスをかけずに垂直に立てて 基板の厚み、平面度を対向する2基の半導体レーザが高精度に計測する フォトマスク基板検査装置です。 測定範囲は最大2100×2000mmまで可能...

メーカー・取り扱い企業： 土井精密ラップ株式会社

USB2.0対応　絶縁型／非絶縁型デジタル入出力ユニット

入出力点数(16～192点)・絶縁／非絶縁など豊富なラインナップ。US…

Windows 10 / 8 / 7 / Vista / XP 対応 入出力点数・絶縁／非絶縁など豊富なラインナップ ●絶縁入力タイプ フォトカプラ絶縁入力 → 耐ノイズ性が高くなっています。 → 外部回路の異常からパソコンを保護することができます。 絶縁部電源を内蔵 → 外部電源を供給する必要がありません。 入力電圧はDC5...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ワイツー

近赤外低価格レーザスペクトルメーターWaveScan

CWレーザ及びモードロックレーザの波長計測並びに解析を広帯域に渡り高波…

レーザスペクトルメーターWaveScanは、 コンパクトデザイン。グレーティング回転方式により、シンプルな単一素子のフォトダイオードで高速スキャンレートを実現し、可視･近赤外波長域での測定を低コストで提供。 ●CWレーザやモードロックレーザのスペクトルを0.2nm以下（測定波長レンジによる）の高波長分解能で容易に測...

メーカー・取り扱い企業： フォトテクニカ株式会社

Si フォトダイオード (TOパッケージ) (Si PD)

◆逆バイアス状況下で駆動◆大口径、四角形もラインナップ◆低ダークカレン…

1MHz、VR=15V 動作電圧(V)：0～15・VR ソケット：Coaxial/TO-46/TO-5 飽和光パワー：0.3w/cm2 LD-PD社は、LD(半導体レーザ)とPD(フォトダイオード)、および関連ドライバ製品のサプライヤです。ウエハの製造～ファブリケーション～パッキング～試験を一貫して自社で行っており、製品群はSM,MM LD(ファイバカップル式を含む)、LDバース...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ …

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

フォトプロセス解析露光装置　UVESシリーズ

最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能。

フォトプロセス解析露光装置　UVESシリーズはフォトレジストの研究開発用露光ツールです。ステップ露光することで最大25箇所、露光条件を変えてオープン・フレーム露光が可能です。露光されたサンプルをレジスト現像アナライザを用いて現像解析することにより、フォトレジストの材料開発やプロセス開発を加速します。さらに、オプションの脱ガス捕集ユニットを用いることにより、露光中のレジストからのアウトガスの成分分析が可能...

メーカー・取り扱い企業： リソテックジャパン株式会社