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【書籍】先端半導体製造プロセスの動向と微細化(No.2220)
PR【試読できます】-成膜技術、リソグラフィ、エッチング、CMP、洗浄-
書籍名:先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 --------------------- ★ムーアの法則の限界が叫ばれる中、微細化技術の開発はどこまで続くのか! 新構造、新材料の適用が進む、先端半導体製造「前工程」の最新技術を網羅した一冊 --------------------- ■ 本書のポイント 1 ・EUVリソグラフィの最新動向とレジスト、マスク、光源の技術課題 ・これ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社技術情報協会
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【顧客事例】デジタルツールを導入し試作板金加工の業務プロセス革新
PR業務フローの早期段階、金型を製作する前のCAE解析で問題点を事前に見直…
試作板金加工と金型設計製作を主な生業としている、岡山県赤磐市の株式会社ラピート様 は以前の業務プロセスの問題を解消するため、AutoFormのデジタルツールを活用して、 業務プロセスを見直しました。会社を挙げてDX(デジタル・トランスフォーメーション) に取り組んだことにより、大きな成果を挙げることができました。...※詳しくはJapanFormingまたはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問...
メーカー・取り扱い企業: オートフォームジャパン株式会社
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GaN Systems製GaNパワートランジスタ「GS61008T-E…
当社では、『GaN Systems製100VGaNトランジスタ(GS61008T-E01-MR) 構造解析、プロセス解析レポート』をご提供しております。 構造解析レポートではGaN Systems製GaNパワートランジスタ 「GS61008T-E01-MR」の詳細を明らかにし、プロセスフロー解析 レポ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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IGBTモジュール構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート
富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075…
当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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SiC MOSFET構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート
東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)…
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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InfineonのTRENCHSTOP(TM)テクノロジーを用いた製品…
当社では、『Infineon製IGBT6(IKQ75N120CS6XKSA1)構造解析レポート、 プロセス解析レポート』をご提供しております。 本レポートでは、IGBT4(HighSpeed3)、IGBT5とIGBT6の特性比較などを 行っております。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を…
当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、P...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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