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Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析
ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか?熱シミュレーション技術とコラ…
測定用素子として良く利用されるダイオード(PN接合)の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。 局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、 任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。 弊社では、実測~シミュ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology
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