『熱硬化型焼結銅ペースト』半導体パッケージの高集積化に貢献

PR低抵抗・高放熱を実現する銅ペースト。200℃以上の加熱で焼結し、大気硬…

当社の『熱硬化型焼結銅ペースト』は、半導体パッケージに対し 低抵抗・高放熱といった優れた性能を付与できる樹脂含有型ペーストです。 さらに200℃以上の加熱で焼結するほか、大気硬化も可能です。 半導体パッケージの高集積化などへの対応に必要な特性を備えています。 【特徴】 ■銀ペーストと同等の電気的特性を保持しながら、イオンマイグレーションを低減 ■独自の特殊処方で硬化中の酸化を防ぎ、大気硬化によ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ADEKA

【自動化対応】ルーター式基板分割機『SAM-CT34XJ』

PR〈国内製〉基板の供給・分割・排出を自動化（最大400×300mmに対応…

当社のルーター式基板分割機に、高速・高精度で切断でき、 自動化（マニュアルでの操作も可能）にも対応した『SAM-CT34XJ』が新製品としてラインアップに加わります。 基板の供給・切断・排出を自動で行えるのはもちろん、 カメラで基板を表示しながら簡単にティーチングが可能。 画像処理機能による、切断位置の自動補正にも対応しています。 【特長】 ■ルータービットの高さを自動で切り替...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社サヤカ

イオンモンテカルロ・シミュレーション・モジュール（IMCSM）

プラズマ解析領域全体におけるイオンのエネルギー分布、角度分布等を計算！

ネルギー分布、また境界セル での入射エネルギー／角度分布を計算します。 現在のPHMは、装置内のプラズマ分布等を計算しますが、計算モデル上、 イオンのエネルギーは一様としています。しかし、基板／ターゲット表面の イオンエネルギーを求めたい場合が多いと考えられます。 当製品は、PHMの計算結果（空間分布物理量）を用いて、プラズマ解析領域 全体、および基板／ターゲット表面のイオンエ...

メーカー・取り扱い企業： ペガサスソフトウェア株式会社

表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM3D）

初期形状はトレンチ、ホールで与えることが可能！基板、堆積膜の経時変化を…

『表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM3D）』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 セル法特有のシャープな境界面は用いず、固体層占有率による勾配から 入射角を決定し、入射角依存の鏡面反射確率、...

メーカー・取り扱い企業： ペガサスソフトウェア株式会社

表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM2D）

PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能…

『表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM2D）』は、 粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、 基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。 PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能。 入射粒子情報（粒子フラックス、...

メーカー・取り扱い企業： ペガサスソフトウェア株式会社

シース内モンテカルロ・シミュレーション・モジュール（SMCSM）

内蔵のシースモデルを用いて、短時間で計算することが可能です！

ット表面のイオンの エネルギーについてのみを評価したい場合、当製品は内蔵のシースモデルを 用いて短時間で計算することが可能です。 【特長】 ■PHMの計算結果（シース電位差等）を用いて、基板／ターゲット表面の 　イオンエネルギー分布等を計算する ■計算モデルは単純なため、計算時間がかからない ■内蔵のシースモデルを用いることにより、RF放電装置内の基板への 　イオンのエネルギー...

メーカー・取り扱い企業： ペガサスソフトウェア株式会社

中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）

新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算…

【機能一覧（一部）】 ■応用分野：真空装置・ポンプを含む装置内での希薄気体流れ 　・一般的な希薄気体条件下での中性粒子の気体流れ解析 　・スパッタリング粒子挙動解析（スパッタ装置内の基板堆積） ■モデリング手法：粒子法 ■解析手法：DSMC法およびテスト粒子モンテカルロ法 ■対象次元：2次元（デカルト座標系、軸対称座標系） ■ソルバー：ドライバー DSMCM／モジュール D...

メーカー・取り扱い企業： ペガサスソフトウェア株式会社