【DL可/EBSD】EBSDによるはんだ断面の内部歪み測定

「実装条件違いや経年劣化で起きる不具合は何か？」 はんだ内部に潜む問題…

電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ・微小領域での結晶粒径、相構造に関する分析 ・実装部などの微小部における残留応力の評価（約50μｍでの解析事例あり） 本事例では 【EBSD】はんだ断面の内部歪み測定 を紹介しています。 EBSDで熱衝撃試...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

【資料DL可/EBSD】EBSD を用いたアルミスパッタ膜の評価

電子線後方散乱回折法EBSDはアルミスパッタ膜の性能評価や下地材料の選…

電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ●微小領域の結晶粒の形状および方位の測定 ●基準方位に対する結晶の配向の確認 ●結晶方位差の情報から材料内部の歪の測定 本事例では 「EBSD を用いたアルミスパッタ膜の 評価」を紹介しています この測定技...

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