無黄変型ウレタン微粒子 「ダイミックビーズ」

PR柔軟性に優れた架橋ウレタン微粒子です。硬質樹脂の応力緩和に貢献します。

ダイミックビーズは懸濁重合反応によって合成するウレタン微粒子です。真球状でマイクロメートルオーダーの粒子径であり、組成や硬さ、粒子径の調整が可能です。 【特長】 ・ウレタンの高い柔軟性と復元性 ・シャープな粒度分布 ・硬質樹脂の応力緩和、低反り、加工時の割れ防止 ・各種有機溶剤に対する優れた分散性 ・架橋微粒子のため、高い耐熱性や湿熱信頼性 ・光拡散性 ・艶消し性...【製品ラインナップ】 粒径...

メーカー・取り扱い企業： 大日精化工業株式会社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ESD(CDM)試験受託サービス

印加ピンの接触確認機能により確実に印加！直接チャージ法と電界誘導法にも…

要なデバイス帯電モデルのESDによる 破壊に対する耐性を評価します。 直接チャージ法(Direct CDM)、電界誘導法(Field Induced CDM)の両方に対応。 また、ダイオード特性判定法、その他の特性評価による、破壊判定も 可能です。(別装置を使用) 【特長】 ■各種規格条件JEDEC、JEITA(EIAJも可)、AECに対してユニット交換で対応 ■直接チ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ESD(HBM・MM)試験受託サービス

DUTボード作製から試験まで！ご要望や目的に応じた試験をご提案、実施致…

p：5V) ■MM試験(C=200pF、R=0Ω)±5V～±2000V(Step：5V) ■単一/ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等の多様な印加条件に対応 ■破壊判定方法：保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、VoL/VoH特性評価、 　電源ピンの特性評価の4種類に対応 ■ソケットや専用の変換基板等の手配から試験用DUTボード作製から試験まで対応 ※詳しくは...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

海外製部品・製品 評価サービス

海外製部品・製品の中には品質上問題のあるものも含まれています。これらに…

品評価例 ・部品調達・選定段階での信頼性評価 ・部品・製品メーカー間比較評価 ・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価 ■対応部品の例 ・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等） ・受動部品（コンデンサ、抵抗、等） ・LCD ・基板 ・電源 等...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ESD（CDM）試験受託サービス

デバイス帯電モデル（Charged　Device　Model）のESD…

す。 ■ 直接チャージ法（Direct CDM）、電界誘導法（Field Induced CDM） 　の両方に対応します。 ■印加ピンの接触状態の確認機能により確実に印加します。 ■ダイオード特性判定法による破壊判定対応も可能です。（要相談）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ラッチアップ試験受託サービス

CMOS ICおよびそれを含む半導体製品のラッチアップ破壊に対する耐性…

■電源過電圧法（JEDEC・JEITA・AEC） ■電圧パルス印加法（AEC） ■ESDパルス印加法（参考試験） ■ラッチアップ判定法（JEDEC方式・電流定義方式） ■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。 ＊VCC電源搭載数：4台（100V/0.5A：1台、50V/1A：3台） 　　　　　　　　　多電...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

フリップチップ実装受託サービス

フリップチップ実装受託サービス

優れた工法により、高周波回路向けや実装面積を小さくすることができるため、携帯機器用途に向いています。また、熱を基板に伝えやすい特性があることで、発熱がチップ性能に大きく影響する高出力LED（発光ダイオード）実装に使用されております。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ウェル

事例　製品環境でのパッケージ　熱抵抗測定技術

半導体の熱抵抗を正しく測定できていますか？熱シミュレーション技術とコラ…

測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、 正しく測定できない場合があります。 製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った 熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となり...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価

複合解析で活性化率に関する評価が可能

は未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部（図1）および裏面について、SIMSとSRAを行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ESD（HBM・MM）試験受託サービス

半導体製品およびそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD（静電気…

験（C=200pF、R=0Ω） 　±5～±2000V（Step：5V） ■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等 　多様な印加条件に対応します。 ■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、 　VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。 ■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…

注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス