テルモセラ・ジャパン株式会社 ◆nanoPVD-T15A◆ 卓上型高性能真空蒸着装置

タッチパネル操作簡単 PLC全自動制御
難しい操作手順を必要とせずどなたでも直感的に操作ができる分かりやすいHMI。
USBケーブルでWindows PCに接続し、ログを保存、自動成膜レシピを作成保存。
限られた開発現場・ラボスペースを最大限有効活用ができる省スペース設計・メンテナンス性にも優れた小型卓上真空蒸着装置です。
◎コンパクトサイズ：804(W) x 530(D) x 512(H)mm
◎重量：40kg〜70kg（装置構成による）
◎優れた基本性能
・到達真空度 5x10-5Pascal
・高性能ターボ分子ポンプ搭載
・Φ2inchもしくはΦ4inch基板
◎蒸着源
・抵抗加熱式蒸着源 TE x 最大2基
・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで）
◎7"タッチパネル
◎連続成膜
・成膜プログラム自動制御
・30種類のレシピ登録
・高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◎豊富なオプション
・基板回転
・上下昇降 50mmストローク
・基板シャッター
・ドライポンプ（RP標準）
・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理

● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！）
● スパッタ源 x 3：連続自動成膜制御, 同時成膜
● 膜均一性±3%
● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他
● Windows PCにUSB接続 ログ保存、プログラムアップロード

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx3源（標準1源）
・RF電源：150W 自動マッチング
・DC電源：850W
・対応基板サイズ2inch、4inch
・基板回転・上下昇降・加熱（500℃）オプション
・プロセスガス制御：MFC x 1（Ar標準、最大3系統増設：N2, O2）
・APC自動制御（キャパシタンスマノメータ オプション）
・水晶振動子膜厚モニタ
・シャッター
・寸法：750(W) x 580(D) x 600(H)mm
・重量：約70kg
・電源：200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ：Φ225（内径）x 250mm
・真空系：TMP + RP（ドライポンプ オプション）

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター：Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

◎ 基板サイズ：Φ2〜4inch
◎ SUS304水冷式チャンバー
◎ 到達圧力 5x10-5Pascal
◎ 最大3系統プロセスガス入力
◎ 最大3系統MFC（オプション）
◎ 7"HMIタッチパネル
◎ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◎ ターボ分子ポンプ：
◎ ロータリーポンプ：（*ドライポンプへの変更可能）
◎ Kタイプ熱電対付属

大学・研究機関・企業開発部門などでの実験用途に幅広くラインナップを増やしました。スタンドアロン機なみの高機能を卓上サイズの装置に凝縮したはいコストパフォーマンス装置です。

◉ nanoPVD-S10A 卓上型スパッタリング装置
Φ2inchマグネトロンカソード x 3基
最大構成：抵抗加熱蒸着源x 2基、有機蒸着源 x 4基
◉ ANNEAL 卓上型ウエハーアニール装置 Max1000℃
Φ6inchまでのウエハーを、Max1000℃の高温アニール処理
３種類のヒーターオプション、MFC x 3系統ガス制御
◉ nanoETCH 卓上型ドライエッチング装置
グラフェン, 2D結晶の安定した剥離・転写が可能, nanoCVDとの併用で高品質グラフェン合成実験を実現
◉ nanoETCH 卓上型ドライエッチング装置
グラフェン, 2D結晶の安定した剥離・転写用、又その他デバイス薄膜開発用ソフトエッチング
◉ nanoEM 卓上型コーター（TEM/SEM・顕微鏡試料作成用コーター）
◉ nanoCVD 卓上型グラフェンCNT合成装置
◉ nanoPVD-WPG 卓上型プラズマCVD装置

◎ 卓上型コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H) 重量27kg
◎ 急速昇温：RT→1100℃/約3分間
◎ 5inchタッチパネル操作
◎ 専用ソフト付属、USB接続にてPCへCSVファイル保存
◎ PC側より作成したレシピを装置へアップロード
◎ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール
◎ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機

＊その他詳細仕様については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

【用途】
◎ グラフェン, カーボンナノチューブ
◎ ZnOナノワイヤ
◎ SiO2等の絶縁膜など
その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応
【特徴】
◎ コンパクトなシステムでハイクオリティな成膜実験が可能
◎ ホットウオール式 反応管内を均一に加熱
◎ MFC高精度流量制御：精度±1% F.S.
◎ バラトロンゲージ（オプション）による高精度APC圧力制御
◎ Lab Viewソフトウエア（オプション）によるリモート制御, パラメータ設定

MiniLab R&D用実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度好適なコンポーネント（成膜源、ステージなど）、制御モジュールを組み込むことにより、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。
MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】
◎ 製作範囲
抵抗加熱蒸着（TE）、有機膜蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、RF/DCスパッタリング（SP）、T-CVD、PE-CVD、ドライエッチング、超高温カーボン炉（*MiniLab-CF/MF, WCF/WMF参照）

※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

研究開発・基礎研究分野に寄与する「モジュラー式 フレキシブル薄膜実験装置」MiniLab（みにらぼ）シリーズを紹介致します。

◎ MiniLab-026/090エッチング・アニールステーション
RF/DCプラズマ表面改質・基板加熱アニールステージを搭載した26L、90Lの小型チャンバーをグローブボックス（又はラック式もあります）に収納
　　
◎ MiniLab-M307ベルジャー式真空蒸着装置
ローコスト・ハイスペック コストパフォーマンスに優れた真空蒸着専用機

◎ MiniLab-GBグローブボックス式薄膜実験装置
作業ベンチ内にチャンバーを収納、ベンチ下に制御ラックフレームを設置したグローブボックス一体型の省スペース薄膜実験装置

◎ MiniLab超高温実験炉シリーズ Max2900℃
*WCCF型（Max1400℃, SIC3コーティングヒーター, アルミナ断熱材）超高温クリーンアニール炉も新たに追加しました。

低コスト版ベルジャー式真空蒸着装置
・抵抗加熱蒸着源 x 最大4
・有機蒸着源 x 最大3
・カーボン蒸着源 x 1（オプション）
【主仕様】
・ベルジャー：ガラスもしくは SUS304 Φ304 x 350H mm
・Tallベルジャー（オプション）：Φ304 x 500(H)mm
・ポンプ：ターボ分子ポンプ 250L/sec, ロータリーポンプ 8m3/hr
・真空排気：真空/ベント自動制御
・抵抗加熱蒸着：最大4点
・有機蒸着：最大3点
・カーボン蒸着源：1点（オプション）
・プロセス制御：手動、又はPIDループ自動制御
・膜厚モニタ：Inficon社製 Q-Pod膜厚モニタ
・膜厚制御：Inficon社製 SQC310 2ch成膜コントローラ
・ユーティリティ：200V ３相 13A, 水冷3L/min, N2ベントガス0.1Mkpa
・オプション：同時/連続成膜, 基板加熱, ペルチェ冷却, 基板回転, バイアス印加, 上下距離調整, ドライポンプ

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型真空薄膜実験装置です。

【MiniLab-LT026（抵抗加熱】）概要
◎ チャンバ：ガラス/SUS製
◎ 19inchシングル/ツイン式ラックに全てを収納
◎ 抵抗加熱蒸着源（最大4源）、有機蒸着源（最大2源）搭載
◎ 高精度膜厚制御：水晶振動子センサ+PIDループコントロール ±0.1A/sec
◎ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ
◎ グローブボックス連結仕様（オプション 要協議）
◎ 豊富なオプション：基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, シャッタ, ロードロック, オートマスクチェンジャ, etc.

【MiniLab-EB026（E-Beam式】）概要
◎ 基板サイズ 2〜4inch
◎ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ
◎ EB電子銃：1〜10点回転ターレット式ルツボ（4〜25cc）270°ビーム偏向, XY軸スイープ
◎ EB蒸着コントローラ（ハンドヘルドターミナル付）, 水晶振動子膜厚センサ

＊その他ご要望は当社までお問い合わせ下さい。

短納期！ 長寿命、密着性・均一性に優れたSiCコート部材
高純度・高耐熱性・熱伝導性等の基本性能に優れたCVD-Cubic SiC（立方晶窒化珪素）コーティングカーボン部品。
MOCVD, Epitaxialプロセス等でのウエハートレー・サセプターなど。
※長寿命、密着性・均一性に優れたウエハートレーを短納期で販売致します。

【特長】
■『短納期！』 最短納期（形状・数量・ご要望仕様協議の上納期回答申し上げます）
■高純度・耐熱性・耐食性・耐摩耗性に優れる
■脱ガス量、発塵量や不純物量を低減
■密着性にすぐれ、クラック・剥離などが起こりにくい
■コーティング厚（*ご要望承ります）：最薄20μm〜最厚120μm
■膜厚均一性（*100μmの場合）：最小誤差：±5μm 〜 最大誤差：±10μm
■微細形状にもコートが可能：*例）Φ1mmホール x 深さ5mmブラインドホールへのコートも可能
■粗い表面処理から鏡面処理まで、ご要望により多彩な仕上り調整が可能です。

３種類のサイズ（Φ1, 2, 4inch）4種類のヒーター素線材質（NiCr, Kanthal, Graphite, SiC）に限定して標準化しました。
大学実験室・研究機関に限定した数量限定の製品です。

【特徴】
● 予備ヒーター素線との交換が容易
● 取り扱いが簡単（M6スタッドボルト、支柱）

【対応基板サイズ】
◎ Φ1inch
◎ Φ2inch
◎ Φ4inch
【ヒーター素線材質】
◉ Max 1000℃：NiCr, カンタル 素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2）
◉ Max 1600℃：Graphite素線_（真空中, Ar, N2）
◉ Max 1650℃：Solid SiC素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2）

【標準付属品】
● 熱電対：K素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き（*C, Rの場合は別売）
● M6スタッド, もしくは取付用支柱

【オプション】
● 標準外素線も用意しております（W, Nb, Mo, Pt/Re, WRe）
● 取付ブラケット
● ホルダー設置用タップ穴加工

「セラミックトップヒーター」は、ヒーターエレメントにNiCr線、トッププレートにAlN窒化アルミプレートを用いた、高温・加熱効率・均熱性に優れたホットプレートです。ヒーターエレメントは、NiCr、及びグラファイト、CCCなどのカーボンヒーター、SiCヒーター、セラミックコーティングなど使用条件に応じて選択が可能です。半導体製造装置・各種真空装置内（真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD装置）に活躍します。

「半導体、電子基板成膜プロセス装置での高温基板加熱機構。」
◎ 超高真空・酸素・水素雰囲気中・プロセスガス中での使用に対応
◎ 基板Zシフト昇降、基板回転機構、及びRF/DCバイアス印可が可能。
◎ 雰囲気に応じたエレメントを選択：SiC, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト/SiCコーティング, NiCrヒーター
◎ 各種真空フランジ接続：ICF, NW, VF

トッププレートにインコネル、又はBN（Boron Nitride）セラミックプレートを採用した、熱伝導率・熱放射効率の良い、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用真空ホットプレートです。
◎ CVD, PVD（スパッタ, PLD, ALD装置等）の真空基板加熱用途
◎ 各種成膜実験、材料分析などの高温加熱に
◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用
◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用

◉ 卓上サイズ 省スペース：328(W) x 220(D) x 250(H)mm
◉ るつぼ内サンプル焼成用（るつぼΦ50 x 100）, 又はΦ1", Φ2"ウエハー焼成用フラットヒーター
◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス
◉ 簡単メンテナンス：炉内部品交換が容易
◉ シンプルな構成、メンテナンス性に優れる超高温小型実験炉

実験室での小片試料の超高温実験、新素材研究開発などの様々な試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。

◆基本仕様◆
・ヒーター：グラファイト(カーボン炉）, タングステンメッシュ(メタル炉)
・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン(メタル炉)
・温度制御：プログラム調節計、C熱電対
・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合）
・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6KVA
・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃
◆オプション◆
・真空排気系：ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類
・電気炉制御インターロックユニット（PLC自動シーケンス制御, 各種インターロック）

◆主な変更点・特徴◆
◎Max2200℃（真空中, N2, Ar）
◎試料台サイズφ1inch〜φ8inch
◎特注ウエハーホルダ（ウエハートレー）製作可能
◎SiC・GaNデバイス基礎研究、新素材・新材料開発、及びその他先端基礎技術開発部門で活用いただけます。

◆主な変更点・特徴◆
・簡単操作! 作業者の習熟度を問わずどなたでも扱う事ができます。：PLC自動シーケンス制御。試料設置後、ボタン操作のみで真空引き、ガス置換、ベントシーケンスを実行
・上部扉より簡単に内部試料室にアクセス可能
・加熱試料室サイズ標準φ60（オプション：φ30、φ150）
・19"ラックに全てを収納
・インターロック安全機構完備
◆基本仕様◆
・ヒーター、断熱材：グラファイト（CF）タングステン（MF）
・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 8KVA（*CF-M参考値）
・Max2900℃（CF）、2600℃（MF）
・プログラム調節計、C熱電対、2色放射温度計
◆オプション◆
・放射温度計
・記録計
・ターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ、ドライポンプ
・るつぼ（グラファイト、セラミック）
◆主な応用アプリケーション◆
・新素材開発
・燃料電池
・セラミック焼結
・その他先端材料開発に応用

◎ 材料実験・研究開発用小型超高温カーボン実験炉
◎ ご要望に応じ特注装置も承ります。当社までご用命下さい。

真空用熱電対基本情報
【基本仕様】
◎ JIS Kタイプ クラス2（*Rタイプも製作致します。詳細お問い合わせ下さい）
◎ シース材質 SUS316, Inconel600
◎ シース径 0.5, 1.0, 1.5
◎ フランジ ICF34, 70, NW16, 25, 40
◎ 補償導線 テフロン被覆 Y形圧着端子付き（ミニコネクタも可能）
◎ 使用可能真空度 1x10-9pa以下（ICF）、1x10-4pa以下（NW）

【特型製作可能範囲】
◎ 2対式〜4対式（＊但しフランジサイズ限定されます、仕様別途協議）
◎ 電流導入端子付き（導入端子x2, 熱電対ポートx１）
◎ 異種フランジ規格変換継手付き
◎ シース部テフロンチューブ付き

その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

収縮式簡易クリーンルーム「Clean Tent」
（開発元Moorfield Nanotechnology社）
短時間（最短30分！）で容易に施工が可能。
テント本体は畳んで専用バッグに収納、撤収持ち運びが簡単。

【ラインナップ】
● Model.CT675：3,650(L) x 2,500(W) x 2,150(H)mm
● Model.CT750：4,250(L) x 2,500(W) x 2,150(H)mm
●Model.CT1700：6,100(L) x3,650(W) x 2,150(H)mm

当社は、限られたスペースに設置できる小型設計に加えて、
高品質の薄膜成形を可能にした『nanoPVDシリーズ』をラインアップしています。

その中でも「nanoPVD-T15A 卓上型 抵抗加熱式真空蒸着装置」は、
大型機にも劣らない膜質と、多数の機能を備えたフラッグシップ機です。

【特長】
■簡単なタッチパネル操作で、PLCの全自動制御が可能
■直感操作が可能なHMIと、高解像度7inch前面パネル
■USB接続で、ログの保存・自動成膜レシピの作成保存が可能

他にも「nanoPVD-S10A 卓上型マグネトロン スパッタリング装置」は、
3源カソード＋O2＆N2追加ガス2系統（MFC制御）、
RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）、同時成膜といった機能が満載です。

※ただいま、上記2製品のカタログをまとめて進呈中です！
　ダウンロードしてご覧ください。

研究開発分野向け、各種薄膜実験装置・加熱装置・コンポーネントを紹介します。
◉ 新製品「Mini-BENCH」シリーズ超高温小型卓上実験炉Max2200℃
◉ SiC3立方晶窒化珪素コーティンググラファイト部品
◉ 大気/高真空中/ガス雰囲気中様々なプロセス雰囲気に対応する基板均一加熱ヒーター
◉ nanoベンチトップシリーズ 薄膜実験装置
◉ 真空導入端子・マグネトロンスパッタ源などの真空部品も取り扱います。

□掲載ラインナップ□

■nanoPVD-S10A卓上型マグネトロンスパッタリング装置
■nanoPVD-T15A卓上型抵抗加熱式真空蒸着装置
■BHシリーズ超高真空 薄膜実験装置用基板加熱ヒーター
■SiC3立方晶窒化珪素コーティンググラファイト部品
■Mini-BENCH超高温小型卓上実験装置
■ANNEAL卓上型ウエハーアニール装置 Max1000℃
■MAGシリーズ マグネトロンスパッタ源

※詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください。