新プラズマ源HCD(ホローカソード放電)電極搭載、各種メタルやCu薄膜のエッチングに対応。大面積化も容易な新型エッチング装置.
新開発プラズマ源HCd(ホローカソード放電)型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。
独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくCu薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。
新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。
300mmウェハや積層基板、最大1m□までの基板のメタルエッチングに対応。
近年ニーズが高まっている半導体周辺部材(フォトマスク、高密度実装基板)をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置
基本情報Cuエッチング対応高密度プラズマエッチング装置
基本構成を従来型エッチング装置「SERIO」「EXAM」と互換性を持つ高密度プラズマエッチング装置。
チャンバ構造・排気系・電源構成等は従来型エッチング装置「SERIO」とも互換性を持っており、電極交換によりCuエッチング等新プロセス対応にアップグレード可能。
大型基板用にCToCタイプも対応可能
Cu膜など難エッチングプロセスに対応し幅広い基板ウェハ’(Si、ガラス、セラミックス)、FPD、高密度プリント板、フォトマスク等幅広い用途に対応いたします。
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用途/実績例 | Cu薄膜エッチング 薄膜磁気ヘッドCuエッチング フォトマスクエッチング 高密度実装基板Cuエッチング |
カタログCuエッチング対応高密度プラズマエッチング装置
取扱企業Cuエッチング対応高密度プラズマエッチング装置
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