• AR(拡張現実)用ガラスウエハー RealView(R) 製品画像

    AR(拡張現実)用ガラスウエハー RealView(R)

    PRSCHOTT RealView(R)はAR(拡張現実)向けに開発された…

    SCHOTT RealView(R) は、拡張現実(Augmented Reality)向けに開発されたガラスウエハーです。拡張現実技術は、仕事中や休暇中、そしてコミュニケーションの仕方まで、私たちの日常生活を変えることが期待されています。 ショットは材料メーカーとして、高い視野角と画質を可能にするRealView(R)を提案します。...【製品特性】 ・厚みを最小限に抑えることで、材料強度を...

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    メーカー・取り扱い企業: ショット日本株式会社

  • Micro Point Pro(マイクロポイントプロ)株式会社 製品画像

    Micro Point Pro(マイクロポイントプロ)株式会社

    PRウェッジボンディングツールをはじめ、世界で9000台以上の実績を持つ卓…

    Micro Point Pro(マイクロポイントプロ)株式会社は、設立から40年の経験と専門知識を保有し、 半導体およびマイクロ電子デバイスアセンブリ業界向けの商材を幅広く取り扱っています。 イスラエルに拠点を構え、150名の従業員とグループ企業600名の従業員がサポート。 MPPでは原材料から完成品まで全ての製造プロセスがあり、多くのグローバル企業との実績も多数ございます。 【取扱製品】 ■...

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    メーカー・取り扱い企業: Micro Point Pro ltd株式会社 本社

  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析 製品画像

    【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

    SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)

    極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、S...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析 製品画像

    【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析

    SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます

    SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価 製品画像

    【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価

    複合解析で活性化率に関する評価が可能

    SIMSによる不純物濃度分布とSRAによるキャリア濃度分布を比較することで、ドーパントの活性化状態がわかるだけでなく、整合しない領域には未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの劣化解析 製品画像

    【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの劣化解析

    質量スペクトルを可視化することで、より高精度な解析が可能です

    有機EL(OLED)は高精細ディスプレイ向けパネルや照明用など多様な用途に用いられており、層構造解析や劣化解析のニーズが高まってきていますが、様々な有機材料を組み合わせて形成されているため、元素分析だけでは一部の現象しか捉えることができません。 本資料では、TOF-SIMSによりOLEDの深さ方向分析データを取得し、MSDM(Mass Spectra Depth Mapping)により試料の劣化...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの評価 製品画像

    【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの評価

    質量スペクトルを可視化することで、より高精度な解析が可能です

    有機EL(OLED)は高精細ディスプレイ向けパネルや照明用など多様な用途に用いられており、層構造解析や劣化解析のニーズが高まってきていますが、様々な有機材料を組み合わせて形成されているため、元素分析だけでは一部の現象しか捉えることができません。 本資料では、TOF-SIMSによりOLEDの深さ方向分析データを取得し、MSDM(Mass Spectra Depth Mapping)により解析した事...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価 製品画像

    【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

    活性層の形状とドーパントを評価

    分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素(N,Al,P)の深さ濃度分布を評価しました。 測定法:SIMS・SCM・TEM 製品...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】トランジスタ内部の状態評価 製品画像

    【分析事例】トランジスタ内部の状態評価

    デバイス内部の異常を非破壊で評価します

    外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 半導体関連装置向け解析シミュレーションソフト 製品画像

    半導体関連装置向け解析シミュレーションソフト

    ガス流れや薄膜生成のシミュレーションに。大規模形状でも短時間計算

    計算に対応 ■装置内全体のガス流れのシミュレーションが可能 《プラズマ解析ソフト『Particle-PLUS』》 ■低圧のプラズマシミュレーションが可能 ■プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに この2つのシステムで、半導体製造における薄膜生成、スパッタリング、 プラズマエッチングなどの様々なシミュレーションに対応可能です。 ※詳しくは資料をご覧くださ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ウェーブフロント 本社

  • フライングリード フレキシブル基板 (FPC/フレキ基板) 製品画像

    フライングリード フレキシブル基板 (FPC/フレキ基板)

    信頼性の高い接続が可能なフレキシブル基板です。

    部分的にベースフィルムを除去する事で、導体を形成することができます。 パターン幅を細くする事で、ワイヤーボンディングのように、 相手側の回路やデバイスに信頼性の高い接続が可能になります。 プローブ等、高密度で高い信頼性を必要な部分に使用されています。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社サーテック   フレキ基板(FPC)ソフトウェア ハードウェア

  • 【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価 製品画像

    【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

    金属成分と有機成分を同時に評価可能です

    半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1 製品画像

    【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1

    SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…

    SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度(ppm以下)...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価 製品画像

    【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価

    製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます

    ウエハ表面に有機物が吸着することで、ゲート酸化膜の耐圧劣化など様々な問題が発生することが知られています。そのため、半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれて、無機物だけでなく微量の有機物についても汚染量を把握することが重要になってきています。 ここでは、2種類のウエハケースにSiウエハを保管し、ウエハ表面全体に付着し...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価 製品画像

    【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価

    照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

    窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価 製品画像

    【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

    不純物元素の定量評価が可能です

    酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。 B,Cはバックグラウンドレベル以下、...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si中不純物の超高感度測定 製品画像

    【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

    感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

    によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (parts pertrillion)レベルまで評価することが可能となり、IGBTデバイスや高純度ウエハなどの低濃度の不純物評価に有効です。本資料ではSi中の低濃度の不純物について超高感度に評価を行った事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価 製品画像

    【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価

    官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です

    着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。一例として、ポリイミドのイミド基から、イミド化率を評価した事例をご紹介します。 デバイス上の絶縁膜におけるイミド化率と、耐水性・耐熱性等のデータを比較してのプロセス確認に有効です。チップ、ウエハのいずれの状態でも評価が可能です。...

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  • 【分析事例】ウエハアナライザーを用いた有機汚染評価 製品画像

    【分析事例】ウエハアナライザーを用いた有機汚染評価

    GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法

    WA(ウエハアナライザー)は、φ76~300mmのウエハを昇温加熱することにより、ウエハ表面に付着している有機汚染物質をガス化させ捕集管にトラップする装置です。そのため、デバイス特性への影響や製造上のトラブルの原因とされるフタル酸エステル系化合物や環状シロキサン化合物などを濃縮し、GC/MSで高感度に測定できます。またヘキサデカンによる換算定量も可能です。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ポジ型フォトレジストの構造解析 製品画像

    【分析事例】ポジ型フォトレジストの構造解析

    熱分解GC/MS法により感光剤の構造解析が可能

    ポジ型フォトレジストは、半導体デバイス製造時のフォトリソグラフィー材料として広く用いられています。 レジストに使用される素材は露光光源によって大きく異なりますが、g線、i線用のレジストでは一般にベース樹脂としてクレゾールノボラック樹...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価 製品画像

    【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価

    試料冷却による高精度なBのプロファイル分析

    デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。 MSTでは試料冷却がこの歪み補正に有効であることを確認し、より高精度な濃度分布の評価が可能になりました。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価 製品画像

    【分析事例】IGZO膜へのTi拡散評価

    SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

    IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中に金属元素が拡散するとTFT特性が劣化することが懸念されるため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中の金属濃度を精度良く測定する必要があります。 SSDP-SIMSを用いて金属電極の反対側からIGZO膜中のTi濃度を評価した事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】IGZO膜中H濃度評価 製品画像

    【分析事例】IGZO膜中H濃度評価

    IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能

    IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。 SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価した事例をご紹介します。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に 製品画像

    3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に

    3D画像 透明立体模型製作 ExhiBits プレゼンや発表に

    元画像から模型をつくるExhiBitsより、いきものの模型(既製品)を販売するショップを開設しました。 NVS SHOP http://shop.nvs.co.jp X線CT等の三次元画像デバイスから得られた実物の3D画像を元に、各種立体模型や展示物を製作サービスです。 半透明の立体模型を作る新技術を活用した新しいサービスです。 高額な装置を使用して撮像する3D画像は、これまで...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ビジュアルサイエンス株式会社

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