デバイス | イプロスものづくり

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パワーデバイス向けの最新アプリケーションをご紹介！

PR5月の接着・接合 EXPOに出展！パワーデバイス向けの新たなアプリケー…

パワーモジュール端子接合や異種金属の接合など、様々な分野で使用されている、超音波接合装置。ニーズの多様化が進み、より高度な接合が求められることも増えています。アドウェルズでは、Ｒ＆Ｄから量産まで幅広い用途で独自技術による安定した接合を実現する『超音波接合・切断装置』をラインアップしています。 24年5月開催の接着・接合 EXPOでは、弊社装置で加工した様々な分野のサンプルを多数展示いたしま...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アドウェルズ
AR(拡張現実)用ガラスウエハー　RealView(R)

PRSCHOTT RealView(R)はAR(拡張現実)向けに開発された…

SCHOTT RealView(R) は、拡張現実（Augmented Reality）向けに開発されたガラスウエハーです。拡張現実技術は、仕事中や休暇中、そしてコミュニケーションの仕方まで、私たちの日常生活を変えることが期待されています。ショットは材料メーカーとして、高い視野角と画質を可能にするRealView(R)を提案します。...【製品特性】・厚みを最小限に抑えることで、材料強度を...
メーカー・取り扱い企業：ショット日本株式会社
【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワーデバイスのHAST試験

パワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能！…

株式会社アイテスでは、『パワーデバイスのHAST試験』を承っております。【特長】 ■最大1000V印加での不飽和蒸気加圧試験が可能 ■高温高湿下での通電により、金属配線の腐食やマイグレーション等の評価を実施 ■試験中のモ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－　各種サンプル形態に対応します。　Siチップサイ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
実装ソリューションサービス

冷却構造設計や熱流体シミュレーション、評価環境構築など幅広く対応！

【取扱品目詳細】 ■設計　・冷却構造設計　・防水構造設計　・デバイス実装構造設計 ■試作　・LSI/デバイス実装試作サービス　・IoTデバイス試作サービス ■シミュレーション　・熱流体シミュレーション　・接合部寿命予測　・特殊シミュレーショ...

メーカー・取り扱い企業： NTTデバイスクロステクノロジ株式会社
【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析

GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案

GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異的な挙動・特性を...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線C...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
モジュール試作と熱抵抗評価

ダイアタッチやTIM材などの評価に好適！試作から評価まで対応致します

株式会社アイテスでは、『モジュール試作と熱抵抗評価』を承っております。パワーデバイス及びパワーデバイスで使用する材料の評価において、実際に デバイスを組み立てての熱抵抗測定は、実力の把握に有効な方法です。試作から評価まで対応致します。ご興味がございましたら、是非お気...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

グでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

　・in situ X線CT測定 ■分析事例　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析　・発泡ウレタン内部の空隙率評価　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定　・電子デバイス内特異箇所の複合解析　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。（ダウンロード...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワーサイクル試験

自社開発の通電試験制御ユニットにより、価格をおさえたパワーサイクル試験…

パワー半導体モジュールの信頼性テスト、パワーサイクル試験を受託いたします。弊社では、「通電試験制御ユニット」を自社開発し、汎用電源を自社開発制御ユニットでコントロールすることで比較的安価なパワーサイクル試験を実現しました。パワーサイクル試験を低コストで行いたい、試験にかけられる予算があまり確保できないというお客様、ぜひご相談ください。 ...ショートタイムとロングタイムのパワーサ...

メーカー・取り扱い企業：大分デバイステクノロジー株式会社
【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定およ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
パワーサイクル試験と特性評価

パワーサイクル試験装置を使用したパワーサイクル試験の受託！故障解析・分…

テスでは、シーメンス製（メンター製）のパワーサイクル試験装置を使用した、パワーサイクル試験の受託を行っています。試験に必要な各種治具の作成から対応する事も可能です。また、パワーデバイスの各種観察・測定にも対応しています。パワーサイクル試験などの試験前後の変化を捉えることができます。【特長】 ■試験に必要な各種治具の作成から対応する事も可能 ■パワーデバイスの各種...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。一方、発光寿命とは試料からの発光強度が...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパン...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板につい...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

ング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。【目次】１．はじめに２．分析装置の概要３．毛髪断面の分析事例４．SiC半導体デバイスの分析事例５．まとめ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
技術情報誌 202001-01 in-situ STEM

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel juncti...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
SIMS分析データの再現性

再現性の高い不純物量評価が可能です

半導体デバイスの製造において、ドーパント等の不純物の制御は重要な工程となります。イオン注入に着目した場合、僅かな差が品質や性能に影響を及ぼすため、正確な制御が必要となります。SIMS分析の高い再現性は、それ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
クロスビームFIBによる断面観察

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

拡散層の観察を行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化で...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

gh Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。測定法：TEM・EEL...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。放射光を用いたXAFS測定では試料表面...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法）および結合状態をXPS（X線...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
SIM像　3D再構築解析受託サービス

SIM像3D再構築解析の受託スタート！※材料開発や半導体、基板のトラブ…

ＦＩＢ加工観察装置によるＳＩＭ像の３Ｄ再構築解析の受託を始めました！材料開発や半導体、基板のトラブル原因解明など、様々な分野で、お役にたちます！【半導体デバイスの故障解析やワーク断面・積層構造を高精度高分解能で観察】集束イオンビーム(FIB)加工装置には微小で等間隔ピッチでのスライス加工が出来る他、都度画像を取得できる機能があります。この機能を利...

メーカー・取り扱い企業：東レ・プレシジョン株式会社
ストレッチャブルフレキシブル基板 (FPC/フレキ基板)

繰り返し伸縮可能で、変形に追従できるフレキシブル基板です。 FPC

一般的なフレキシブル材料では折り曲げができるものの、折り畳みや伸縮が難しいという課題があります。柔軟性があり、伸縮可能で追従ができる為、しなやかなエレクトロニクスデバイス向けで、ウェアラブル、センサ、ディスプレイ、ロボット、また、圧力センサーやシートヒーター等幅広い分野で期待されています。 FPC ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サーテック　　フレキ基板（FPC）ソフトウェアハードウェア
技術情報誌 202102-04 新規RBS装置の導入

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】近年、各種デバイスの高集積化に伴い、局所領域における評価が製品開発、機能向上のために極めて重要と考えられている。この度、東レリサーチセンターに導入した新規RBS装置では、高速イオンビームを最小1 μmφまで収束可能...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
ご希望者全員プレゼント！医薬品・医療機器 MST分析事例集

医薬品・医療機器に関する分析事例をまとめて掲載！ご希望者全員に無料プレ…

のエナメル小柱の断面観察　　　・粉体異物の複合解析　　　・注射針表面のコーティング膜の状態評価　　　・ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価とCross Section 　　　・医療デバイス表面の汚染評価　　　・医療機器の洗浄法評価...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

来、独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【半導体向け】解析シミュレーションソフト　※カタログ進呈

工数・コスト削減に！薄膜生成、スパッタリング、プラズマエッチングなどの…

計算に対応 ■装置内全体のガス流れのシミュレーションが可能《プラズマ解析ソフト『Particle-PLUS』》 ■低圧のプラズマシミュレーションが可能 ■プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ウェーブフロント本社
［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

■長所・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能・ＦＩＢで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所・試料を薄片化する必要がある（一部の試料において薄片...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
アイテス　装置一覧

アイテスの解析・評価・試験サービスに使用する装置一覧です

■形態観察　・レーザー顕微鏡　・SAM/SAT 　・X線透視装置　・SEM/FE-SEM ■電気特性測定　・カーブトレーサ　・パワーデバイスアナライザ ■不良解析・故障解析　・EMS/IR-OBIRCH 　・EBIC ■試料加工　・FIB 　・回転式研磨台　・イオンポリッシャー　・斜め切削装置 ■信頼性評価試...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
Φ8インチIC・MEMSファウンドリーサービス開始

最大8インチＭＥＭＳラインを有するオムロン野洲事業所にてウェハ工程の試…

 MEMSセンサ（圧力センサ、加速度センサ、流量センサ、赤外線センサ、音響センサなど）  MEMSアクチュエータ（マイクロミラー、RF MEMS など）  各種半導体（IC、パワーデバイス など）  光学素子（アパーチャ、レンズなど）  機能構造（poly-Si TSV など）加工場所：オムロン株式会社　野洲事業所（滋賀県野洲市）～　8インチ半導体ライン　...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス