気体漏れ検知カメラ『Si2-Pro』『Si2-LD』

PRノイズキャンセル機能で騒音環境下にも対応。検出が困難な水素など、様々な…

気体漏れ検知カメラ『Si2-Pro』『Si2-LD』は、圧縮空気・ガスの漏れを 正確に検出できるハンディ型の産業用音響カメラです。 検出が非常に難しい水素にも対応しており、稼働中に様々な気体の漏れを可視化することができます。 漏れの早期発見によって、エア・ガスのロスが抑えられトータルコストの削減に貢献します。 【特長】 ■リアルタイムで損失コストをシミュレーションし、対応判断をサポート ■ノイ...

メーカー・取り扱い企業： フリアーシステムズジャパン株式会社

特許取得Pef　Prism疑似立体印刷

PRRef　Prism

2次元印刷に新たな表現方法 デザインの曲線部を強調！ 曲線のエッジが光る効果を表現 レンズフィルムの種類によって曲線部に多種多様な表現が可能！ 白印刷部の濃淡で光る効果の強弱調整により更に表現の幅広さを持たせる効果も 加工材料 ・テープ類 一般用、強粘着、遮光、防水、導電性　他 合成樹脂類 ポリ塩化ビニール（PVC）、ポリエチレン（PE)、ポリプロピレン（PP)、ポリエチレンテレフタレート（...

メーカー・取り扱い企業： 智昌加工株式会社

【分析事例】Si表面のH終端の解析

処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較

Si表面についてHF処理後、オゾン処理後の状態を比較しました。 正イオンスペクトルではSiのピーク強度が異なりました。HF処理後のSi強度が弱いのはSiが金属系のためで、一方、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedのSi強度が強いのはSiが酸化物系のためです。 負イオンスペクトルからは、HF処理後ではSiF,SiH,Six系、UV-オゾン洗浄後やAs ReceivedではSiO2系など表...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池　Si負極の評価

サンプル冷却により充電後のSi負極の構造を評価可能

Siは高容量負極活物質の候補の一つですが、充放電時の非常に大きな体積変化のためにサイクル劣化が激しいと言われています。今回、充電後のSi負極の状態を確認するために、雰囲気制御環境下で解体して冷却FIB加工を行い、SEMにて断面形状を観察しました。室温で断面観察を行った場合は、膜の収縮・観察面の荒れ・孔発生等の大きなダメージが見られる一方で、冷却しながら観察を行うことでSi負極の変質を抑えて試料本来...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価

Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です

素」の一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。 格子間型炭素に関連する挙動は低温PL分析で非常に感度良く観測することが可能であり、SIMS分析の下限以下の微量な炭素についての知見を得ることが可能です。 本資料では、イオン注入を行ったSi基板について低温PL分析とSIMS分析を行い確認した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

対象元素に応じて測定条件を選択

フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を高めて測定を行いました。 Pの分析(図4)ではa-Si中に多量のHが存在して質量干渉を起こすため、高質...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IC法によるSi含有溶液中のTMAH分析事例

IC（イオンクロマトグラフ）法でアミン類の測定が可能です

水酸化テトラメチルアンモニウム（TMAH）は、半導体の現像液やエッチング液として用いられています。 Siのエッチング液に用いたTMAH溶液の濃度を測定する場合、溶液中に多量に溶解したSiが夾雑物となり、測定結果に影響を与える場合がありますが、IC（イオンクロマトグラフ）法による評価ではSiの影響を受けることなく、TMAH濃度の定量分析が可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。 Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL測定例を示します。...詳し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Siウエハの保管状態による表面汚染評価

フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価

試料搬送時の汚染及び酸化の影響についての知見は、検出深さがnmオーダーの表面分析において重要です。そこで、保管方法の違いによる汚染･酸化の影響をSiウエハにおいて検討致しました。 薬包紙・アルミホイル保管では、一般的に見られる二次汚染による有機物のピークは弱い傾向が見られます。試料保管・搬送時にアルミホイルのつや無し面で包んで保管すると、他の保管方法に比べて汚染、酸化を抑制することができます。....

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Siウエハ表面の金属汚染評価

ICP-MS：誘導結合プラズマ質量分析法

ICP-MSを用いたSiウエハ表面の金属汚染評価の目的には、Siウエハ自体の汚染評価以外にも、半導体装置内の汚染評価、Siウエハ暴露による作業環境場の評価などもあり、Siウエハ表面の分析は様々な目的で行われます。ICP-MS分析ではSiウエハ表面の金属汚染量を高感度に取得でき、さらに目的に応じて評価領域を指定することも可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池の不純物評価

金属元素および大気成分元素の極微量分析

工程で必要とされている不純物量制御のための評価法として、高感度分析による元素濃度測定をご提案します。金属元素はppb以下、Hを含む大気成分元素についてはppm以下の濃度まで計測可能です。 測定法：SIMS・ICP-MS・エッチング・解体 製品分野：太陽電池 分析目的：微量濃度評価・製品調査 一行開けて「詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

います。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのAl,Gaの拡散の有無を評価するため、SIMS分析を行った事例をご紹介します。 微量の拡散を正確に評価するため、Si基板側からGaN層に向けて測定を行いました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価

フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価

SRAでは、キャリアの深さ方向濃度分布を浅い領域（数100nm）から深い領域（数100μm）までの幅広いレンジで分析が可能です。また、試料表面や指定深さにおける抵抗値の面内分布評価も可能です。 一例として、市販品のSi-IGBTチップを解体し、チップ全体/フィールドストップ層/ライフタイムキラーの深さ方向濃度分布評価と、ライフタイムキラー照射深さにおける抵抗値の面内分布評価をSRAで行った事例を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】結晶Si太陽電池のキャリア分布評価

表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価

BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。...詳しいデータは...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SiN膜中のSi-H及びN-H濃度をFT-IR分析により求めることが可能です。SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料DL可：FIB】FIB装置によるSi基板へのパターン描画

FIB装置でシリコン基板上に高精度のパターン形成を行えます。マスクレス…

・ デポジションによるパターン描画も可能です。 この事例では FIB装置で実際にシリコン基板上へパターンをどのように描画するか を紹介しています。 尚、弊社はFIBによるICおよびLSIの回路修正を目的とした配線修正も強みとしております。 具体的には以下のとおりです。 ・配線の切断 ・配線の接続 ・特性評価用のテストパッドの作製 等を適切に短納期で行い、お客様のICおよび...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜…

STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

微小異物分析のためのサンプリング技術

エレクトロニクス製品の歩留に大きな影響を与える異物について、各種サンプ…

■多層膜中異物の特殊サンプリング技術 ・基板上金属膜に埋もれた異物 　金属膜エッチング⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析 ・多層薄膜中の異物 　表面層の切り取り⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析 　ミクロトーム/FIB　薄片化⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析...■さらに強化されたマイクロサンプリングツール 　新規導入されたマイクロサンプリングツールは 　顕微鏡...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】SiN膜中の金属汚染評価

ICP-MSによる高感度分析

Siウエハ上のSiN膜（Si3N4）を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこで、Siウエハ上のSiN膜を溶解後、別途処理を施すことでSiマトリックスの影響なくSiN膜中不純物金属元素の分析を可能としました。市販品のSiN膜付きSiウエハを用いてICP-MSによる高感度分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

受託成膜・受託分析

各種成膜・表面処理・塗布加工や、受託測定のことなら当社へお任せください

アイゲート株式会社は『受託成膜・受託分析』を承っております。 「受託成膜」では、Si、ガラス、フィルムなどの真空成膜加工が可能なほか、 エッチングや表面処理、塗布加工にも対応。 また「受託分析」では、高性能水蒸気・ガス透過率測定装置を使用した 受託測定を致します。 【受託分析詳細】 <水蒸気・ガス透過率測定> ■測定装置：DELTAPERM ■測定範囲：5×10-5g/...

メーカー・取り扱い企業： アイゲート株式会社 本社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】毛根の成分分析

TOF-SIMSを用いた生体成分のコレステロール・脂肪酸の可視化

人の毛髪（抜け毛と引き抜いたもの）の毛根部をSiウェハに押し付け、転写された成分についてイメージング測定（面分析）を行いました。抜け毛は毛根の先端にのみ、■K, ●リン脂質が強い傾向が見られます。また、毛根部全体には、■CnHmCOOH(ｎ=17～31)の脂肪酸（人の皮脂由来）、●角栓由来のアミド系成分、◆質量が500～700の含窒素有機酸、◆質量が800付近の有機物が凝集していると考えられますが...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ＰＶ（太陽電池）各種評価事例集

太陽電池（ＰＶ）の組成評価や同定・膜圧評価・形状評価・結晶構造評価など…

【展示パネル　詳細】（一部抜粋） ○有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価 →雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能 →測定法：TOF-SIMS・雰囲気制御下での処理 ○結晶Si太陽電池の拡散層評価 →ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価 →測定法：SIMS・SCM・研磨・解体 ○CIGS薄膜の組成分布分析 →薄膜の組...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 シリカ表面にはシラノール基と呼ばれる水酸基が結合したケイ素（Si-OH）が存在しており、撥水、親水といった物理的特性の大きな一因を担っている。また、シランカップリング剤を結合させることで表面の化学的特性を改良し、樹脂充填材として汎用されている。したがって、このシリカ表面シラノール基は、シリカ単体の性質に留まらず、材料全体の性能を左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】微小ビアのイメージ分析

微小領域の分布評価が可能です

回路の微細化にともない微小化する層間接続ビアの設計開発では、充填の良好性を把握することが求められます。TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、出来ばえ評価に有効な手段です。 本資料では、Si基材に設けられた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】汚染原因となる工程の調査

手袋由来の汚染の評価

半導体デバイス製造において汚染工程を調べるため、不良の原因となる薄い付着物が何に起因するかを調べる必要があります。EDXでCが検出され、XPSで定量を行った付着物について、TOF-SIMSで分析を行いました。各工程で使用している標準試料の手袋と比較をしたところ、手袋A, Bと似た傾向が見られました。更に、標準試料の手袋をSiウエハに付着させて検証をしました。その結果、手袋Aに類似...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エタノールをつけた綿棒の残渣分析

TOF-SIMSにより光学顕微鏡で見えないシミや洗浄残渣の分析が可能

一般的に汚れを落とすために、綿棒にエタノールをつけ拭き取ることがあります。エタノールをつけた綿棒でSiウエハ表面を拭いた際、表面に何が分布するのかTOF-SIMSを用いて分析を行いました。 エタノールをつけた綿棒で拭いたSiウエハには、光学顕微鏡でみられないシミが分布しており、綿棒に起因することがわかりました。TOF-SIMSでは光学顕微鏡で見えないシ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】粘着テープの残渣評価

TOF-SIMSにより表面付着物成分を同定します

粘着テープの残渣は、製造工程において密着不良・剥離の原因となります。不良の原因として残渣が疑われる場合、表面付着物の成分とその分布を調べることができるTOF-SIMSが有効です。 粘着テープをSiウエハ表面に張り、剥がした後のSiウエハ表面および粘着テープの表面をTOF-SIMSで測定した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 分光エリプソメトリーは光の偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202102-04 新規RBS装置の導入

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 近年、各種デバイスの高集積化に伴い、局所領域における評価が製品開発、機能向上のために極めて重要と考えられている。この度、東レリサーチセンターに導入した新規RBS装置では、高速イオンビームを最小1 μmφまで収束可能なマイクロビームラインを兼ね備えており、微小部における正確な組成・密度分析が可能となる。また、入射イオン種の増加、入射イオンの高速化により、従来と比較し軽元素の大幅な感度向上...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

パワーサイクル試験（パワーモジュールの信頼性評価）

パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…

チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できる...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック

LCDパネル良品解析

LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手…

アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

NMR分析サービス

NMRで有機物から無機物まで、組成や分子構造を幅広く分析！ 検討から…

【分析事例】 ・電池/半導体：電解液の溶液 NMR や大気非曝露での多核・固体 NMR 測定 ・樹脂/ポリマー：樹脂成分やポリマーの組成・劣化解析が可能 ・食品/環境：食品・サプリメント中の成分の定量や劣化状態の分析 ・医薬/バイオ：薬物と受容体の相互作用の有無や強弱の測定が可能...○感度良く分析できます！ ・共鳴周波数600MHz (1H) での高感度測定により、不純物レベルでの分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】プラスチック製グリル表面の欠陥調査

何らかの原因でCuメッキが異常成長！その上にNiメッキが施されたと推察…

当社で行った、プラスチック製グリル表面の欠陥調査についてご紹介します。 表面観察では、欠陥の一部は表面から伸びており、その伸張した突起物が もげたと思われる跡が認められ、その跡の中心はCuでありその周囲にNiを検出。 断面観察では、Cu部内の空孔は大きく、欠陥直下および欠陥の極近傍の Cu/プラスチックに間隙があり、この間隙部からC（Mg,Si）が検出されました。 結果、欠陥...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

［AES］オージェ電子分光法

試料表面（数nm程度の深さ）の元素の種類・存在量の評価

AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面（深さ数nm）の定性・定量が可能 ・微小領域（数十nm～サブミクロン程度）の定性・定量が可能 ・主成分元素の深さ方向分析・線分析・面分析の測定が可能 ・SiやAl等、幾つかの元素については酸化物状態及び金属状...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ガイドネットマップ法を用いたEPMA分析例

広範囲の分析が可能！EPMAのガイドネットマップ法を用いた分析例をご紹…

EPMAは特長の一つに、ガイドネットマップ法があります。 SEM-EDXでは測定範囲が狭く、湾曲試料では面分析が正しく測定できないことが ありますが、EPMAのガイドネットマップ法を用いることで、広範囲の分析が 可能になります。 隣り合わせの連続した領域を自動的に測定し、⼀括して表示するための手法で、 高低差が不均一な面に対して測定を行ったり、大きな面の測定を行うときに使用します...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

Φ8インチIC・MEMSファウンドリーサービス開始

最大8インチＭＥＭＳラインを有するオムロン野洲事業所にてウェハ工程の試…

こののたび当社では、MEMS加工サービス/MEMS ファウンドリサービスを開始いたしました。国内最大規模の8インチＭＥＭＳラインを有するオムロン　野洲事業所（滋賀県野洲市）にてウェハ工程の試作から量産までお客様の様々なご要望にお応えいたします。 ＵＲＬ：https://www.ites.co.jp/wafer/foundry.html ■特徴 ・お客様設計仕様に基づく試作 ・製品設...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【分析事例】表面分析による品質管理

表面の付着成分(ポリジメチルシロキサンなど)をTOF-SIMSで評価で…

TOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析法)は、最表面の有機物・無機物を感度よく評価可能な手法で、製品の様々な品質管理を行うときの分析手段として利用することができます。例えば、製品保管時の表面付着物の定期...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EBSDによる圧粉磁心の評価

EBSDを用いることによって軟磁性金属粉末の圧粉磁心の磁気特性劣化の原…

軟磁性粉を圧縮成形して製造される圧粉磁心は、圧粉後に焼鈍処理が行われます。焼鈍温度により変化する因子をEBSDで分析し、保磁力との関係について調査を行いました。その結果、焼鈍温度の上昇とともにKAM値の減少と平均結晶粒径の増加が見られ、それに伴い保磁力が低下する傾向を示しました。この結果を応用すれば、 EBSDを用いることによって軟磁性金属粉末の圧粉磁心の磁気特性劣化の原因解析が可能になります。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ

【分析事例】SiGe中不純物の高精度定量評価

SIMS：二次イオン質量分析法

SIMSによる半導体素材SiGeの不純物の定量・組成評価では、分析時に下記を考慮する必要があります。 ●Ge濃度に応じた適切な定量補正を行わないと不純物定量値は本来の値に比べて50%以上異なることがある。定量評価を行うためには各組成に応じた標準試料が必要。 ●SiとSiGeではスパッタリングレートが異なる事が知られている。組成が深さごとに異なる試料においては、深さごとにスパッタリングレートが変化...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析

高い再現精度で評価可能

デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価が必要とされています。正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。今回、B+を低エネルギーでイオン注入したSiウエハを1keVの酸素イオンビームを用いて、日をまたいで、6回測定した結果から算出したBの面密度の相対標準偏差は3%以下であり、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

他手法では評価が難しい半導体基板中のH,C,N,Oを1ppm(約5E16atoms/cm3)以下まで、Fを1ppb(約5E13atoms/cm3)以下の濃度まで検出可能です。実際のFZ-Si中における測定例（図1）とIII-V族半導体のバックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析（SSDP-SIMS）を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極（BドープPoly-Si）から基板へのボロンの突き抜け量...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】金属膜の高温XRD評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度が増加し、半価幅が小さくなり、結晶化が進行していることが分かりました。 また、温度が上昇するにつれ、熱膨張によりピークが低角度側（格子間隔が広がる方向）にシフトしていることを確認でき...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価

複数手法の分析結果より、複合的に評価

製造装置や部品に付着した異物は、製造品の不良や装置動作の不具合などに影響する場合があります。 異物を適切に分析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA（シリコンウエハアナライザー）-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、GC...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハ表面の微小異物分析

加工無しで30nmサイズの組成分析が可能

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法であり、製造工程において表面に生じた汚染や異物の組成を調べる際に有効な分析です。基板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工などを行わず簡便に調べることが可能です。また面分析を行うことで元素分布像を得ることができます。 本事例ではSiウエハ上に存在する異物について、AES分析を用いて評価したデータを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】AESの異物分析における注意点

AES：オージェ電子分光法

AES分析では、微小異物の最表面の元素組成評価を行うことが可能なため、微小領域における異物分析に有用です。しかし、電子線等のダメージの影響により異物が変化したり消失してしまう可能性があります。 特に、ハロゲン元素等を含む場合は、その影響を強く受けてしまうことがあり注意が必要です。SEM観察時やAES測定時に異物が消失してしまった事例として、Siウエハ上のNaCl粒子について、AES分析を行った結...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST