★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機

PRシングルチャンバーで各種洗浄からスピン乾燥まで完結。省スペース設計で研…

『1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機』は、 高圧スプレーや超音波スプレー、薬液等の非接触洗浄、 ブラシ等の接触洗浄など、様々な組み合わせが可能な洗浄機です。 1つのチャンバーで洗浄からスピン乾燥まで完結し、 省スペース設計のため、設置スペースとコストの削減に貢献します。 各種装置構成、薬液構成、目的とする洗浄性能やご予算など、 ニーズに応じて最適な装置構成をご提案可能です...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ゼビオス（XEVIOS CORP.,）

「切る技術」シングルワイヤーソーとは？

マルチワイヤーソーでは加工が困難な大口径材料や厚板品の加工が可能！高価…

当社ではマルチワイヤーソーとは別にシングルワイヤーソーも保有しております。 シングルワイヤーソーでは、マルチワイヤーソーでは加工が困難な大口径材料や厚板品の加工が可能です。 ダイヤモンドワイヤーを使用した固定砥粒方式を採用しておりますので高価な材料の加工ロスを大幅に削減できます。 【主な対応素材】 窒化アルミ AlN / アルミナ Al2O3 / サファイア /炭化ケイ素 SiC/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

「磨く」技術のご紹介！両面研磨・片面研磨が可能※加工事例進呈

ラッピング加工、ポリシング加工（鏡面研磨法）の2つの手法を用いてご希望…

当社では、セラミックスをはじめ、結晶材料、ガラス、金属、樹脂まで 幅広い材料の『精密切断・研磨加工』を手掛けています。 その中でも『磨く技術』では ラッピング加工、ポリシング加工（鏡面研磨法）の2つの手法を用いて ご希望の表面粗さに仕上げさせて頂きます。 【当社の磨く技術の特徴】 ■幅広い難削材の加工に対応可能 ■数千～数万個を同時に加工OK ■パワー半導体市場でニーズが拡...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』

最大到達温度1,000℃！試作開発用途のほか、インラインシステムにも組…

『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの 真空・プロセスガス高速アニール装置です。 SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を 要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や 「VPO-1000-300」をラインアップしています。 【RTP-150　特長】 ■φ6インチ対応 ■最大到達温度1000℃ ■リニアな温度コン...

メーカー・取り扱い企業： ユニテンプジャパン株式会社

セントロサーム　真空はんだリフロー炉

ボイドレス、フラックスレスリフローに対応したバッチ式の真空リフロー炉で…

従来の常圧リフローでは、はんだ内に残るボイド領域が20%程度あるため、接合強度の劣化を招きます。セントロサーム社（ドイツ）のバッチ式真空リフロー炉「c.VACUNITEシリーズ」は、真空を用いることでボイド領域を2％未満に低減することが可能です。また、100%水素やギ酸などの還元効果ガスを用いることで、フラックスレスリフローに対応可能です。オプションとして、MWプラズマを用いた接合表面のプラズマク...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

【特殊形状】メタルスキージ　実装・SMT 印刷機用

セラミックコーティング（Sicめっき）処理による高耐久性！　先端部の特…

メタルスキージ表面にセラミックコーティング１０ミクロンの表面処理を施し、本体はしなやかに、表面は硬く、仕上がっております。 スキージ先端部を薄く研磨加工しております。　刃先部分が薄くなる事でフレキシビリティ（柔軟性）が出ます。 柔軟性が上がることで、メタルマスク（ステンシル）に追随することが 出来るため、クリームはんだの充填性が安定します。 【特長】 ◆　先端部の段差加工：　印刷...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東京製作所

フレキシブル シンタリングシステム『SIN200+』

次世代パワー半導体モジュールのシンタリング（焼結）接合試作＆量産装置

シンタリングシステム『SIN200+』は、従来ののSn系はんだ材に代わる新しい接合技術で、パワー半導体モジュールのシンタリング(焼結）によるダイアタッチ接合のR&D試作評価から量産までの用途に対応できます。特に、SiCパワー半導体に最適です。 真空チャンバー内での加熱、シンタリング（加圧）、冷却の全工程で、サブストレート温度、雰囲気圧力および、プロセスガスを、リアルタイムで正確に制御すること...

メーカー・取り扱い企業： ピンク・ジャパン株式会社

焼結ダイヤモンドの研削 加工事例

PCDの高速高圧研磨を実現！高速高圧研削加工

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)、PCD（焼結ダイヤモンド）などの基板は 硬く脆い性質を持った研磨加工の難しい素材です。 その中でも、特に加工の困難な焼結ダイヤモンドの 研磨を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜3nm ■加工時間4時間（従来の方法での加工時間10時間） ■高速高圧研磨装置『E...

メーカー・取り扱い企業： 日本エンギス株式会社

SiCの研削 加工事例

SiCの両面研削を実現！両面研削加工

今後の市場拡大が予想されるSiC(シリコンカーバイド)、 GaN(ガリウムナイトラ)などのパワーデバイスにおいて、コスト削減は 重要な課題です。 その中でも、従来の加工プロセスと異る方法でコスト 削減を実現した加工事例をご紹介いたします。 【研磨結果】 ■表面粗さ＜0.5nm (後工程CMP) ■TTV＜2μm/Warp＜10μm ■高速圧研磨装置『EJD-6BY』と 　...

メーカー・取り扱い企業： 日本エンギス株式会社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『VPO-1000-300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス（水素＋窒素）パージの他、 　高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本の...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社