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SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』
PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(…
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...
メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…
<主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーテ...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…
分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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