★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

PRmm単位を超える広い面内測定範囲！多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

炭化珪素発熱体（SiC) 　カンタル・グローバ

発熱体温度1000℃〜1650℃。高品質な炭化珪素発熱体

カンタル　グローバSD（炭化珪素発熱体：SiC）は600℃〜1600℃（炉内温度）での 使用に適した高品質な抵抗発熱体です。 □■特徴■□ ○既存の炭化珪素発熱体と完全な互換性がある上に、 さらなる長寿命が期待できます。 ○...

メーカー・取り扱い企業： アレイマジャパン株式会社 カンタルカンパニー

スーパータル　シングルウェハーリアクター

電子・半導体業界用！1枚のウェハー製造用ヒーターモジュール

従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業： アレイマジャパン株式会社 カンタルカンパニー