資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

セラミックス製 構造部品【ミクロンオーダーにも対応可能】

新東独自の成形技術「浸透Vプロセス」で大型形状品や複雑形状部品の一体成…

材の選定からご提案いたします。 取扱い素材 ■アルミナ(Al2O3) ■チタン酸アルミ（Al2TiO5） ■ジルコニア（ZrO2） ■ムライト(Al6O13Si2) ■炭化ケイ素（SiC） ■窒化ケイ素（Si3N4） ■コージライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2) ■窒化ホウ素(BN) ■窒化アルミ(AlN) ■マシナブルセラミックス ■サイアロン ■ジルアル...

メーカー・取り扱い企業： 新東Vセラックス株式会社

【ピラースーパージョイント】クリーン＆長寿命な回転継手！

日本ピラー工業のロータリージョイント（回転継手）は、メカニカルシールで…

ニカルシールで得た 経験と技術を応用した製品です。 【特長】 　・接液部流路は、金属汚染に配慮しPEEK材で構成しております。 　・シール端面（摺動面）は、耐薬品性・耐スラリ性に優れるSiC（炭化ケイ素）を採用。 　・負圧から正圧まで、広範囲に使用可能です。 　・禁油処理は、もちろん「洗浄⇒組立⇒包装』を一貫して、クリーンルーム内で行っております。 ※本ページでは、 　シ...

メーカー・取り扱い企業： 日本ピラー工業株式会社

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社