• 実験・研究開発用途 受託成膜サービス『ALD(原子層堆積)装置』 製品画像

    実験・研究開発用途 受託成膜サービス『ALD(原子層堆積)装置』

    PRご要望のプリカーサによる各種サンプルへの成膜をお手伝い。ライブデモ、パ…

    ワッティーでは、ALD装置を使用した『受託成膜サービス』を行っております。 Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、RuO2、SiO2、TiN等、各種酸化膜・窒化膜の成膜が可能。 成膜可能サイズは小チップからパイプ、フィルム等、300mmの大きさまで対応可能です。 ご要望のプリカーサによる各種サンプルへの成膜のお手伝い、お客様立会い によるライブデモや、ご希望のレシピ、パラメータ...

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    メーカー・取り扱い企業: ワッティー株式会社

  • クラスター装置『Morpher』 製品画像

    クラスター装置『Morpher』

    デバイス量産へ、優れたプロセス品質、信頼性、高スループットを提供!

    各種 <処理温度と容量> 〇~300℃ 〇最大1000ウエハ/24時間@膜厚15 nm Al2O3 <一般的なプロセス> 〇1桁秒~のサイクルタイム可能なバッチプロセス 〇Al2O3、SiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO、TiO2、ZrO2、メタル 〇バッチ1%未満の1σ不均一性(Al2O3、WIW、WTW、B2B、49 pts、5mm EE) <基板ローディング> 〇真空クラ...

    メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社

  • ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』 製品画像

    ALD装置(原子層堆積装置)『P-300B』

    高品質のALD膜を作り出す!MEMS機器の生産や3Dオブジェクトの成膜…

    なし基板(特注ホルダー)  ・高アスペクト比サンプル(2500:1~) ■処理温度:50~500℃ ■標準処理  ・最小1桁秒までのサイクルタイムでバッチ処理が可能  ・AI2O3、SiO2、Ta2O5、HFO2、ZnO、TiO2、ZrO2、AIN、TiN およびメタル  ・<1% 1σバッチ内不均一性 (Al2O3、WIW、WTW、B2B、49点、5mm EE) ■基板の装着 ...

    メーカー・取り扱い企業: PICOSUN JAPAN株式会社

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