『３Ｄ溶接検査装置システム』高速ビート検査

PR『溶接対象形状をロボットで正確にトレース！　寸法検査・形状検査も可能』…

『3D溶接ビード検査装置』は、ライン状のレーザ光源を検査ワークに 照射し、その反射光を高さデータとして取得する「光切断法」を 採用しています。 ロボットに取付けた3Dカメラでスキャンニングすることにより 三次元形状を計測できます。 また、検査中、通信でロボット位置・姿勢 情報を取得しているため、 加減速や姿勢変化にも対応可能です。 【特長】 ■自動での高速ビード検査 M...

メーカー・取り扱い企業： 東日本イワタニガス株式会社 開発本部

屋外・金属設置対応LTEアンテナ

PR金属上での設置にも対応可能！ 10m・15mと長尺タイプも用意

LTE用のアンテナ「FMM800W-4T-xM-BP」のご紹介です。 【特徴】 ・マルチバンド対応（例　800MHz帯と2GHz帯のどちらでも利用可） ・2.5m、5mタイプは標準在庫 ・設置場所　金属面に据付しても利用可 ・延長ケーブル不要（10ｍ、15ｍの長尺タイプもラインナップ） ・技術適合証明(TELEC)で多数の実績 ・LTEでアンテナ2個使いする場合も、アンテナ間を事前に適正距離に離...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

【特長】 ・ Vds=-30V ・ Id=-4.3A ・ Rds(on) = 65mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) = 75mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) = 100mΩ (Vgs=-2.5V)...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

【特長】 ・ Vds=30V ・ Id=5.8A ・ Rds(on) = 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V)...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

ィンドウと優れたゲート堅牢性 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■革新的な NL3 無負荷、軽負荷昇圧回路効率 ■電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝240mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率 ■電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

ト用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

圧ウィンドウと優れたゲート堅牢性 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■革新的なNL3無負荷、軽負荷昇圧回路効率 ■電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

ト用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

ゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝200mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

ート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝55mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

・極性：ユニポーラ ・ドレインーソース電圧：60V ・ドレイン電流：20A ・電力損失：60W ・ケース ：DPAK ・ゲートーソース電圧：±15V ・ON抵抗値：39mΩ ・マウント：SMD ・ゲート電荷：32nC ・梱包種類：リール, テーピング ・チャンネル種別：強化された...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が非常に小さ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

GaN パワーデバイス サーバー用電源

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社