リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

工業用空気清浄機『粉じんやホコリによる生産現場の歩留まりを改善』

PR独自メンテで空気品質を長期保証！コンタミ対策やクリーンルーム相当の環境…

きれいな空気は健康、生産効率、品質に大きな影響を与える大事なものです。 当社の工業用空気清浄機（エアクリーナー）は 自動車工場、フォークリフトが動く物流倉庫、清潔な環境が求められる食品工場など 室内空気の品質管理が必要なエリアに向けて開発されました。 【このようなお悩みはありませんか？】 ◆研磨やブラストなどで発生する粉じんによる製品の歩留まりを改善したい ◆粉じんが流入しやすい環境近くの詰所、...

メーカー・取り扱い企業： クリーンエア・スカンジナビア株式会社

イオン注入シミュレーション

ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。

お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜によ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

イオン注入装置のラインナップ

低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。

室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

Implanter line-up

Various implanter line-up for your …

We can perform ion implantation processing under various conditions according to customer requirements, with a wide variety of samples from chips to 12-inch wafers. The implantation conditions range f...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

Film Deposition&Heat Treatment

Equipped with various film depositi…

PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form elect...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

Implantation Simulation

Simulation for ion species, depth a…

Customer's request "How much energy and dose should be used to achieve the desired depth and concentration?" And "What depth distribution of dopant ions will be given at the specified energy and dose....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター