顕微鏡用ナノ位置決めステージ『DOF-5』

PR低コストで高性能！画像の安定性を維持しながら高速なステップと整定を実現…

『DOF-5』は、光学イメージングアプリケーション向けに最適化された 低コストで高性能なナノポジショニングステージです。 移動量（5mm）と帯域幅（225Hz以上）が大きく、画像の安定性を維持しながら 高速なステップと整定を実現。 また、ボリュームディスカウントが利用可能です。 【特長】 ■高価な顕微鏡用ピエゾステージの代替品として登場 ■ボリュームディスカウントが利用可...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社キーストンインターナショナル

40GHz対応高性能(ラディアスタイプ)同軸2.92mmアダプタ

PR切削加工技術を向上！ラディアスタイプには湾曲することにより利点がありま…

当社で取り扱う「40GHz対応 高性能(ラディアスタイプ)同軸2.92mm アダプタ」をご紹介いたします。 通常のライトアングルタイプは、直角に曲げる為、中心コンタクトが 二つ構造になっています。しかし、当製品は湾曲させて曲げることにより、 中心コンタクトを一体にすることが可能になり、より優れたVSWRを実現。 また、限られたスペースにおける配線が簡単になります。 ご要望の際は...

メーカー・取り扱い企業： ホンリャン・ジャパン株式会社 サードカンパニー株式会社

不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』

100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAM​を開発！高速動作と低…

0兆回のデータ書換え回数を保証 ■アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作 ■連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能 ■高速化を実現しながら動作時の低消費電力化も実現 ■動作電流は最大18mA（従来品よりも10％削減） ■スタンバイ電流は最大150µA（同50％削減） ■48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

1MビットFeRAM​「MB85RS1MT」

ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモ…

サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAM​を導入することで、バッテリーの寿命延長あ...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

バッテリーレスソリューション

UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）…

■バッテリーレスソリューションの特長 ・高速データ書き込みを実現 　FeRAM​の高速書き込みによる、処理速度の向上 ・安定した通信距離 　低消費電力によりWriteの通信距離は、Read処理と同等 　（EEPROMをメモリとするRFIDではWriteの...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​「MB85R4M2T」

SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリ…

本製品は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。汎用SRAMと互換性がある44ピンTSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAM​に置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献し...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​「MB85RS4MT」

ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモ…

れているメモリ周辺の電子部品が1.8V、または3.6V動作品のどちらでも対応することができます。動作電流は、1MHz動作時が最大250μＡ、スタンバイ電流は最大50μＡと非常に少なく、低消費電力化を実現しています。 パッケージは、既存のEEPROMと置き換え可能な8ピンSOPのため、お客様製品の設計を大幅に変更することなく本新製品に切り替えることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」

ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4Mビッ…

本製品は、1.8V単一電源で動作し、4本の入出力ピンをもつクワッドSPIインターフェースを採用することで、54Mバイト/秒のデータ転送速度を実現しています。 この高速動作と不揮発性メモリの特長により、ネットワーキング、RAIDコントローラ、産業用コンピューティング分野での使用に最適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RQ4ML ...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、…

データが消えない不揮発性メモリでありながら、 高書き換え耐性・高速書き込みといった揮発性メモリの長所も備えています。 強誘電体にデータを記憶するという構造により、最大10兆回のデータ書き換え回数を実現。 また、書き込み時間が短いため消費電力が少なく、データ保持用の電流は不要です。 EEPROM、SRAMからの置き換えにより、様々な課題解決が期待できます。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

不揮発性メモリ『MB85RQ8MLX』

54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI Fe…

『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイ...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社