N2プラズマ　Visible Plasma

PRN2リモートプラズマ、N2ダイレクトプラズマ、コロナ、トーチプラズマを…

当製品は、従来のN2リモートプラズマとエアープラズマの ハイブリッドタイプです。 プラズマの発生を目視で確認可能。 また、10mmまでの長距離照射が可能です。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■コンパクトなヘッド構造 ■プラズマの発生を目視で確認可能 ■10mmまでの長距離照射が可能 ■低温の為熱ダメージを与えない ※詳しくはPDF...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イトー

コレでダメなら諦める？高性能IoT向け外付けアンテナ

PRつながりにくい場所でも大活躍！使用いただいたお客様からもこれならつなが…

『DP-BRO-MI2』は、内蔵やルーター直付けのようなアンテナでは送受信が できない場合にご利用頂くケーブル付の外部アンテナです。 IoT全般の通信モジュールが搭載された無線機にケーブルを引き回し接続され、 電波環境の良い場所へ屋外、屋内問わずに設置が可能。 MIMO、異なる2つのシステムでの運用にも適しています。 【特長】 ■791～2690MHz対応 ■耐風速60m...

メーカー・取り扱い企業： 日本アンテナ株式会社

2SA812 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

ルネサス製2SA812の代替品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SA812 (SOT-23パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

2SC1623 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

ルネサス製トランジスタのセカンドソース品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC1623 (SOT-23パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

2SC1815 バイポーラトランジスタ TO-92パッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC1815 (TO-92パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

2SC2655 バイポーラトランジスタ TO-92Lパッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC2655 (TO-92Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

『CGD65B240SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

逆導通IGBT『600 V RC-D2』

低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提…

SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイス...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

『CGD65B130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲート...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けさ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲート...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワーMOSFET『StrongIRFET 2』＜産業機器向け＞

多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周…

当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStro...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

バイポーラトランジスタ ELM2N5401FA

汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ

・小型パッケージのSC-70を採用しています。 ・高耐圧：BVceo = -160V です。 ・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。 ・Pb フリー、ハロゲンフリーです。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

トランジスター電源『TMS-4/TMS-4 RA(2CH)』

短時間で微細な溶着制御を必要とする接合に好適！被溶接物の性質に応じた波…

『TMS-4/TMS-4 RA(2CH)』は、小型でコンパクトな高機能トランジスター電源です。 電源のフィードバックはμsecで動作する為、溶接エネルギーを短時間で スムーズに立ち上げる事ができ、1msec以内での通電時間で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ブロステック

高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

イパワーで高効率の赤外線源です。 広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。 ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。 ハーメチックシールにより、パッケージ内に特殊な不活性ガスを充填可能。省エネルギー化を実現しました。 他のCANタイプ、SMDタイプのIR光源...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

プローブ針、プローブホルダ及びマニピュレータ

60年以上に渡り半導体デバイス解析用プロービング関連製品一筋に開発製造…

います（例：ケルビン接続のトライアキシャル仕様）。 マニピュレータ：先端にプローブ針を装着したプローブホルダを取り付け、ターゲットにプロービングを行います。マグネット及びバキューム吸着ベースの2種類用意されています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社シスコム（SysCom）

高周波トランジスタ

高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！

【ラインアップ】 ■2SC5477(fT=1.1GHz) ■2SC5626(fT=1.1GHz) ■2SC5619(fT=4.5GHz) ■2SC5620(fT=4.5GHz) ■2SC5621(fT=4.5GH...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd

2umから20umまでの幅広い波長範囲の小型IR光源

波長範囲：2-20 um ウィンドウ（はんだ付け）：無し、Si-ARC、サファイア、ZnSe 放射エリア：0.32mm2, 1mm2, 1.8mm2 最大パワー（DC）：175mW, 290mW, 330...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【ディスクリート】MOSFET　ラインアップ一覧

モーター駆動などのスイッチング素子として利用！大電流の高速のスイッチに…

モーター駆動などのスイッチング素子として利用されることが多く、 特に大電流を高速にスイッチするのに適しています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK2009(F) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET 2SK4017(Q) ■Toshiba Nチャンネル MOSFET SSM3K7002FU(F) ■onsemi Nチャンネル...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高い...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高い...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【展示会ポスター資料】銀ペーストを進化させる銀微粒子

無加圧焼結接合プロセスでも高信頼性を実現できます

2023年2月1日（水）～ 3日（金）のnano tech 2023に出展します。 たくさんのご来場お待ちしております。 詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社大阪ソーダ 事業開発本部＆ヘルスケア事業部

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲー...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

モジュール『WF101JSYAHMNB0』

CTP付！ILI2511を内蔵しUSB、I2Cインターフェイスに対応し…

電容量タッチパネルを搭載しており、 輝度は900ニット(Typ.)のモジュールです。 オプションで抵抗膜方式タッチパネル及び高輝度タイプもラインアップ。 EK79007AD3とEK73217BCGAドライバICを内蔵し、 4-レーン MIPI DSIインターフェイスをサポート致します。 【特長】 ■モジュールサイズ：235×142×8.78mm ■LCDタイプ：TFT・...

メーカー・取り扱い企業： グローバル電子株式会社

Infrasolid社 ガスフィルターセル

干渉ガスの遮断やキャリブレーションに最適

ァレンスガスを充填することで、特定の吸収帯にレーザー波長を合わせるなど、ガス分析システムの校正にも使用可能です。 ハーメチックシールにより、長期安定性を実現しました。 はんだ付けされたCaF2ウィンドウにより高い透過率を達成しています。...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

波長範囲：2-12 um パッケージ：TO-39 / TO-5 放射エリア：11mm2 放射率：>0.8 最大パワー（DC）：700mW 最大電圧：4.0V 最大電流：175mA...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社