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PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー
当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット) ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減 ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド
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PRmm単位を超える広い面内測定範囲!多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…
当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新興製作所
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。 MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。 MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法
水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…
三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。 独自の技術である「スクライブ&ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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