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PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー
当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット) ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減 ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド
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PRシングルチャンバーで各種洗浄からスピン乾燥まで完結。省スペース設計で研…
『1チャンバー型薬液スピン・スクラブ洗浄機』は、 高圧スプレーや超音波スプレー、薬液等の非接触洗浄、 ブラシ等の接触洗浄など、様々な組み合わせが可能な洗浄機です。 1つのチャンバーで洗浄からスピン乾燥まで完結し、 省スペース設計のため、設置スペースとコストの削減に貢献します。 各種装置構成、薬液構成、目的とする洗浄性能やご予算など、 ニーズに応じて最適な装置構成をご提案可能です...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ゼビオス(XEVIOS CORP.,)
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熱源はSiCヒーターを採用!高いクリーン性能を実現した高純度アニール炉
『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における 石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。 ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。 処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源...
メーカー・取り扱い企業: アドバンエンジ株式会社
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半導体など各種材料に!数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可…
フラッシュランプアニーリング装置 FLAは、DTF-FLA ウルトラショートタイムアニーリング用にデザインされたスタンドアローン装置です。半導体材料、その他の材料に対して、数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間のアニーリングをすることが可能です。非常に短いパルス(マイクロ/ミリ秒レベル)のキセノンフラッシュランプにより、超高速昇温レートで表面のみ加熱しますので、フレキシブル基板、 耐熱温度の低い基板上の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社マツボー
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SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…
■Max2000℃(真空中1x10-5Torr, N2, Ar) ■3種類のヒーター材質: ・高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ・SiC3(炭化珪素)コーティング:Φ4〜Φ8inch ・TiC3(チタン・カーバイド)コーティング:Φ4〜Φ8inch ■使用雰囲気: ・真空・不活性ガス(グラファイト) ・還元雰囲気(TiC3コーティング) ■試料台サイズφ4inch〜φ8inc...
メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社
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Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設...
メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社
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超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハ…
ワイドバンドギャップ半導体デバイスの歩留まりを向上するためには、応力に起因する欠陥や転位を最小限に抑える必要があります。その手法の一つとして、半導体結晶の超高温熱処理があります。c.CRYSCOO HTA高温アニール炉は、ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶からデバイスまでのバリューチェーンにおいて生産性を大幅に改善させるために開発されました。優れた温度制御(最高温度2200℃)、均一性、低クロ...
メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社
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電子・半導体業界用!1枚のウェハー製造用ヒーターモジュール
従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。 ...半導体ウェハー枚葉熱処理用ヒーターモジュール □■特徴■□ ■耐熱性に優れた断熱材と二珪化モリブデンヒーターの一体型モジュール ■小スペースに大容量の出力が可能 ■精密な温度制御が可能 ■タイプ:SWR...
メーカー・取り扱い企業: アレイマジャパン株式会社 カンタルカンパニー
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アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』
SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…
◉Max2000℃(真空中1x10-5Torr, N2, Ar) ◉3種類のヒーター材質: ・高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ・SiC3(炭化珪素)コーティング:Φ4〜Φ8inch ・TiC3(チタン・カーバイド)コーティング:Φ4〜Φ8inch ◉使用雰囲気: ・真空・不活性ガス(グラファイト) ・還元雰囲気(TiC3コーティング) ◉試料台サイズφ4inch〜φ8inc...
メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社
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Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設...
メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社
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