アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』

PR高機能・高品質のアルミ溶解炉。当社のベストセラーモデル"アル…

お客様の運用面・ニーズにお応えできる、多様性を備えたアルミ溶解炉の ベストセラーモデル"アルキープ3姉妹"のご紹介！ アルキープの最大の特長である独自設計の「溶湯プール部」を備え、 溶解室で溶湯を昇温し、溶湯は常にクリーンな状態を維持できます。 【アルキープ3姉妹】 ■アルキープ 　当社独自設計の「溶湯プール部」を備えた元祖モデル。 　溶解室の形状変更により、さらに耐久性・省...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＴＯＫＡＩ

★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

SiCウェハーを1枚から低コストで提供！納期は最短2週間から。パワー半…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いた...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ 、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など 研究開発実験用品に適しています 。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業： インターケミ株式会社

研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現しま…

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料 『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。 SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視 されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。 そこで当社では、東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合 研究所のご指導の下、自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コス...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

SiCウェーハ

SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …

SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

【株式会社トリニティー】SiCウエハー

次世代パワー半導体　SiCウエハー

【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。 大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載 や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。 【トリニティーでは】 トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティー

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

SiCインゴット

SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。...SiCインゴット製品 4インチ 4H-N 6インチ 4H-N 8インチ 4H-N...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

SiC / 単結晶炭化ケイ素 / シリコンカーバイド

高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板と国内加工のカスタマイズ 製品をご提供いたします。...■　品名：単結晶SiC基板（シリコンカーバイド、炭化ケイ素） ■　ポリタイプ：4H ■　タイプ：N-type（窒素ドープ）、半絶縁（Semi-insulating） ■　サイズ：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"、Φ8” ■　厚さ：330μm、350μm、500μm（特殊厚み指定可能） 　　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

プラズマＣＶＤ成膜

ガスを化学反応させることで緻密な薄膜を形成！低温加工も可能です。

プラズマＣＶＤ法は、膜としたい元素を含むガスを、プラズマにより励起や分解をさせて、 基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。 プラズマを用いるため熱ＣＶＤに比べて低温での製膜が可能です。 また、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法と比べて凹凸への付きまわりがよいのも特徴です。 弊社では、イオンプレーティング法、真空蒸着法に加え、 プラズマＣＶＤ法によるコ...

メーカー・取り扱い企業： 東邦化研株式会社

シリコンウエハー

少数ロットでのご案内も可能ですので、ぜひご相談ください！

当社では、多種多様なニーズにマッチする『シリコンウエハー』を 供給いたします。 低抵抗品、高平坦度品等の「ベアウエハー」をはじめ、「石英製品」や 「SiCウエハー」などをラインアップ。 「ウエハー加工」も少数枚からニーズに合わせて承ります。 また、デバイスメーカー/装置メーカー様向けのご提案も行っております。 【ウエハー加工】 ■再生受託加工 ■成膜受託加工 ■ザグリ...

メーカー・取り扱い企業： 大和鉄原工産株式会社 本社

面粗さRa1nm【精密研磨/ 鏡面加工】【ラッピング】

◆面粗さ　Ra1nm以下◆

ティ・ディ・シーでは研磨・ポリッシュ・CMPなどの高度技術によって究極の面粗さを実現します。 面粗さRa1 nm以下をほぼ全ての材質で達成可能です！！ ...～対応材質～ 金属：ステンレス、ニッケル、銅、アルミ、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、超硬鋼材全般　など セラミックス：アルミナ、SiC、Si3N4、チタニア、イットリア、PZT、PMN-PT　など 樹脂 ：エンジニアリ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

CMPスラリー『ClasSiC/GaiNシリーズ』

砥粒技術＋ケミカル配合技術により設計！ハイレートかつ面品質/面品位を両…

当社が取り扱うCMPスラリー『ClasSiC/GaiNシリーズ』のご紹介です。 「ClasSiC」は、特にパワーデバイスに使用されるSiC基板の化学機械的 平坦化用に特別に配合されたハイレートスラリーです。 「GaiN」は、ナノアルミナ砥粒、ケミカル配合技術で研磨プロセスを 最適化するために特別に設計されており、研磨レートと平坦化性能を 大幅に向上させます。 【特長】 ■...

メーカー・取り扱い企業： 日本ピストンリング株式会社