• 最小0.1mm!北京ワールドダイヤ 微細加工PCDマイクロドリル 製品画像

    最小0.1mm!北京ワールドダイヤ 微細加工PCDマイクロドリル

    PR直径0.1mm~2mmで半導体検査治具、拡散板、シャワーヘッドなどの微…

    北京ワールドダイヤは中国ではトップクラスの生産規模と技術力を持つダイヤモンド工具専業もメーカーです。同社の特徴は開発力、技術力で80を超える製品特許を保有しています。 日本へも2014年の市場参入以降、価格メリットと品質を武器に自動車・輸送機関連分野での採用が広がっています。 同社の新製品「PCDマイクロソリッドドリル」は独自の刃先形状と滑らかな溝形状によりバリの発生を抑制し、長寿命で高品質な加...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社京二 本社、名阪営業所、南関東営業所、千葉営業所、北関東営業所、東北営業所、京二上海

  • 厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】 製品画像

    厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

    PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

    重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

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    メーカー・取り扱い企業: 共栄電資株式会社

  • パワーデバイス(SiC)をチップ化 製品画像

    パワーデバイス(SiC)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化 製品画像

    高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 『SEMICON JAPAN出展』のご案内 製品画像

    『SEMICON JAPAN出展』のご案内

    2023年12月13日(水)~15日(金)に東京ビッグサイト(東展示棟…

    当日展示会場では、半導体ウエハ-のチップ化工程をコンパクトなボディに集約した単体機「DIALOGIC DS Series」のデモンストレーションを実施予定です。また、SiCウエハー最先端半導体デバイスのチップ化工程の加工技術もご紹介いたします。...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法 製品画像

    カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

    水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

    三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。  独自の技術である「スクライブ&ブレイク」に...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

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