• 【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定 製品画像

    【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

    PRmm単位を超える広い面内測定範囲!多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

    当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社新興製作所

  • アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』 製品画像

    アルミ溶解炉『アルキープ・アルイッシュ・バーチカルアルキープ』

    PR高機能・高品質のアルミ溶解炉。当社のベストセラーモデル"アル…

    お客様の運用面・ニーズにお応えできる、多様性を備えたアルミ溶解炉の ベストセラーモデル"アルキープ3姉妹"のご紹介! アルキープの最大の特長である独自設計の「溶湯プール部」を備え、 溶解室で溶湯を昇温し、溶湯は常にクリーンな状態を維持できます。 【アルキープ3姉妹】 ■アルキープ  当社独自設計の「溶湯プール部」を備えた元祖モデル。  溶解室の形状変更により、さらに耐久性・省...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社TOKAI

  • SiCデバイスの裏面発光解析 製品画像

    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察 製品画像

    LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

    SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

    当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 短絡耐量評価・解析レポート 製品画像

    短絡耐量評価・解析レポート

    短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!

    株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • パワー半導体の解析サービス 製品画像

    パワー半導体の解析サービス

    故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

    分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析 製品画像

    短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

    Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…

    当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

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