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PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー
当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット) ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減 ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド
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PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…
重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...
メーカー・取り扱い企業: 共栄電資株式会社
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国内外での実績豊富。スラリーの固形分濃度の算出。ノーメンテナンス 3年…
です。 濃度調整用のほか、再生用や戻り(リターン)配管への設置など、様々なポイントに設置できます。 砥粒についてもシリカ、アルミナ、酸化セリウム他、様々な素材に対応可能です。Si用のほか、SiC用にも対応します。 過酸化水素(H2O2)の濃度、過マンガン酸カリウム(KMnO4)の濃度調整などに使用することも可能です。 接液材質の変更も可能な連続測定用センサーのため、アルカリにも対...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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あらゆる化学反応、スケールに、常に対応する製品ファミリー
開発は、幅広いアプリケーションに適した新しい反応経路への道を開きます。 MAS 24とMonowave 300を使用したシーケンシルメソッドの最適化、またはSynthos 3000の炭化ケイ素(SiC)ローターによるパラレル最適化を実行すれば、化学者の日常的な作業負荷は大幅に軽減されます。 ■パラレルスケールアップ 様々なグラム範囲にパラレルスケールアップする場合は、Rotor 16を...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用
表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…
【測定対象】 半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの規格】 サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm サンプル厚さ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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