資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST