資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。 本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを 迅速に実現するための基本構成を提供。 ソフトスイッチング トポロジーと...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

プ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

低オン抵抗領域の1200V CoolSiC MOSFET

容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンス…

TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品で...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

車載用1200V CoolSiC MOSFET

温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に…

車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

アナログおよびデジタルドライバファミリー『EiceDRIVER』

X3 Compactファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化…

ミリーはシンク・ソース共に最大14A、また優れた伝搬遅延 マッチング（最大7ns）を備えています。 【特長】 ■VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ■IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクテ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社