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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール
Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した パワーモジュールです。 低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、 インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特...
メーカー・取り扱い企業: 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)
コンパクト且つ設計が容易!40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバ…
コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクテ...
メーカー・取り扱い企業: 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
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