TMD-PC10 　単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トラストウェル 本社

卓上CMP研磨機『EJ-380IN-CH-D』

PRコンパクト設計のCMP研磨機。研究開発にお勧めです！

卓上CMP研磨機『EJ-380IN-CH-D』は、コンパクトなボディで設置場所を省スペースに抑えます。試料片研磨加工や多種少量部品の研磨等の研究開発用途だけでなく、本格的な精密研磨加工まで幅広いニーズに対応できる卓上ラップ装置です。 ＜特徴＞ ・精密鏡面加工の自動化 ・耐薬品性に優れたボディ設計 【使用可能定盤外径 : Φ380 mm】 また、本装置を2024年10月2日...

メーカー・取り扱い企業： 日本エンギス株式会社

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

『SEMICON JAPAN出展』のご案内

2023年12月13日(水)～15日(金)に東京ビッグサイト(東展示棟…

当日展示会場では、半導体ウエハ-のチップ化工程をコンパクトなボディに集約した単体機「DIALOGIC DS Series」のデモンストレーションを実施予定です。また、SiCウエハー最先端半導体デバイスのチップ化工程の加工技術もご紹介いたします。...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」に...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社