資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様 ・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様 ・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様 〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。 〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。 〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。 【S...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ケニックシステム 東京オフィス

【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch

プレート最高温度Max1900℃。HV, UHVほか過酷なプロセス環境…

対応可能サイズ Φ1〜8inch用、及び最大150mm角まで 超高温・超高真空対応フルカスタムメイド基板加熱ステージ ◉ヒーターエレメント： ・C/Cコンポジット Max1700℃ ・SiC3（炭化珪素）コーティンググラファイト Max1300℃ ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティンググラファイト Max1900℃ 高純度・耐熱性・高耐蝕性を要求される過酷なプロセス環境...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

【UHV対応 真空薄膜実験用 面状加熱ヒーター】 大学・研究機関のお…

３種類のサイズ（Φ1, 2, 4inch）、豊富なヒーター素線バリエーション（Kanthal, Graphite, C/C Composite, SiC coating, W）、部品在庫を持つことにより短納期・安価な価格を実現しました。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ● 取り扱いが簡単（M6スタッドボルト、支柱） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2022」

電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用 最新の高温基板…

e-TE」セミオート式超高温卓上型実験炉Max2000℃ ◉「MiniLab-CF」超高温実験炉Max2900℃ ◉「Mini-Lab-WCF」超高温ウエハーアニール炉Max2000℃ ◉ SiC3立方晶炭化珪素コーティンググラファイト部品 ◉ BH基板加熱ヒーター：...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全て…

基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ） ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択： グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C,...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃

SiC3, TiC3コーティングヒーター採用：様々なプロセス環境に対応…

■Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2, Ar） ■3種類のヒーター材質： ・高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ・SiC3（炭化珪素）コーティング：Φ4〜Φ8inch ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティング：Φ4〜Φ8inch ■使用雰囲気： ・真空・不活性ガス（グラファイト） ・還元雰囲気（TiC3...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

ロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

【MiniLab-SA125A】 多元マルチスパッタ装置

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

SiC3, TiC3コーティングヒーター採用：様々なプロセス環境に対応…

◉Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2, Ar） ◉3種類のヒーター材質： ・高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ・SiC3（炭化珪素）コーティング：Φ4〜Φ8inch ・TiC3（チタン・カーバイド）コーティング：Φ4〜Φ8inch ◉使用雰囲気： ・真空・不活性ガス（グラファイト） ・還元雰囲気（TiC3...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

ロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S060A

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社