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ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
深さ、濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 多段注入条件の計算 その他のシミュレーション ・熱処理後の拡散 熱処理前後でのプロファイル計算 ・多層構造の計算 SiO2等の膜厚最適化 ただし、シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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Simulation for ion species, depth a…
heat treatment ・ Multi-layer structure calculation Optimization of film thickness such as SiO2 However, the simulation does not guarantee the profile or concentration after implantation....
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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