• 【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】 製品画像

    【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

    PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能!石英ガラス、純モ…

    拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

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    • Si-SiC素材 拡散接合による溝形状、深穴形状形成のご提案2 1.png

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トップ精工

  • 公自転式撹拌脱泡装置『カクハンター SK-1100TV III』 製品画像

    公自転式撹拌脱泡装置『カクハンター SK-1100TV III』

    PR中型量産モデルがパワーアップして新登場。真空減圧機能を搭載し、微細な気…

    『カクハンター SK-1100TV III』は、材料の撹拌・脱泡を同時に行える装置です。 真空減圧機能を搭載しており、真空引きをしながら遠心脱泡が行えるため 除去が困難なサブミクロンレベルの泡まで脱泡処理することが可能。 高粘度材料にも対応できるほか、公転・自転の比率を 可変することができ、材料や条件に合わせた処理が行えます。 【特長】 ■回転数大幅UPによる強力撹拌  当社従来機との比較で...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社写真化学 草津事業所

  • 【研磨加工素材】化合物材料 研磨加工 製品画像

    【研磨加工素材】化合物材料 研磨加工

    弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

    化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用...

    メーカー・取り扱い企業: 日本エクシード株式会社

  • 【研磨加工素材】酸化物材料 研磨加工 製品画像

    【研磨加工素材】酸化物材料 研磨加工

    様々な酸化物半導体結晶の研磨加工が可能です。

    弊社では、加工技術を量産で対応出来る能力を持ち合わせております。 又、青色発光ダイオードやレーザーダイオードに用いられる基板の研磨加工も行っています。 用途に応じた加工スペックを満足すべくラッピング、ポリッシング加工を量産ベースで行っています。 【加工詳細】 ■材料名:LiTaO3(LT)、LiNbO3(LN)、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc. ■加工素材:LiN...

    メーカー・取り扱い企業: 日本エクシード株式会社

  • 【技術資料進呈中!】ウェーハ研磨加工プロセスと加工素材&技術紹介 製品画像

    【技術資料進呈中!】ウェーハ研磨加工プロセスと加工素材&技術紹介

    数百種類以上の半導体素材の研磨を扱っている技術を紹介!各種ウェーハの研…

    当資料では、日本エクシードの各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介しています。 長年にわたる研磨加工の経験の上に独自の研究開発を幾度も繰り返し、単結晶と名の付く様々な素材を手掛ける技術力を 高次元で実現し、今では数百種類以上の半導体素材の研磨を扱う存在となりました。 研磨加工プロセスの研磨工程をはじめ、薄化加工技術を用いたSi特殊加工や加工素材などを掲載...

    メーカー・取り扱い企業: 日本エクシード株式会社

  • 【測定事例】 カーボンナノチューブ(CNT)応用材料 【TA】 製品画像

    【測定事例】 カーボンナノチューブ(CNT)応用材料 【TA】

    高熱伝導性材料の開発に役立ちます! 【半導体デバイス/ヒートシンク】

    ■カーボンナノチューブ(CNT)応用材料の熱物性測定  ■表面処理は不要(炭素系材料の場合)  ■高熱伝導性材料の開発に必須!  ■非接触測定...当社のサーモウエーブアナライザーTAは、カーボンナノチューブの非接触測定が可能です。カーボンナノチューブ(CNT)は円筒形の炭素の結晶です。 細い、軽い、丈夫。構造により半導体材料となるなどの優れた特徴を持っています。 また、導電性や吸着性を持つほ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ベテル ハドソン研究所

  • ニョウブ酸リチウム基板(LN / LiNbO3) 製品画像

    ニョウブ酸リチウム基板(LN / LiNbO3)

    単結晶ニョウブ酸リチウム(LN / LiNbO3)のインゴット、ウェハ…

    商品名:単結晶ニョウブ酸リチウム(LN / LiNbO3) サイズ:Φ2”、Φ3”、Φ4”、Φ6” 方位:指定可能 厚み:250um、350um、500um、指定可能 仕上げ:片面ミラー、両面ミラー、他 数量:10枚~、量産対応可能 製造:日本製、中国製 ... 同人産業は半導体材料の素材から加工まで一貫して提供できる専門企業です。サファイア、シリコン、炭化ケイ素(SiC)、GaN、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社同人産業

  • Si(シリコン)ウェーハ研磨加工 製品画像

    Si(シリコン)ウェーハ研磨加工

    様々なサイズ、厚みに応じた研磨加工が可能です。

    SOIウエーハに関しては大口径(12"φ)化が着実に進み、現在では小口径では出来ない最新技術が素材で開発されている一方、 後工程(デバイス工程)のラインは小口径(8"φ以下)での対応となり、大口径素材が持つ最新技術が生かせない状況です。 日本エクシードではこれらのニーズに応えるべく、たえず技術向上を図ると共に、量産ベースでの生産体制を確立しています。 また、SOIウエーハのサイズダウンも可...

    メーカー・取り扱い企業: 日本エクシード株式会社

  • SOIとSilicon Silicon 貼付けウエハー 製品画像

    SOIとSilicon Silicon 貼付けウエハー

    半導体製作にご提案:ICやMEMS応用、従来の厚エピや反転エピなどから…

    【SOIウエハー】:(Silicon-On-Insulator) 100-200mmの厚膜、または<1um以下の薄膜のデバイス層を持つSOIウエハーを供給いたします。 特長: ■シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で光工学表面弾性波  フィルターなどの分野などをカバー可能 ■6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管理で常に継続的改善を  進めながら、アイスモスは世界クラスの製品品...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • ウェハー搬送システム『プロトスキャリア』 製品画像

    ウェハー搬送システム『プロトスキャリア』

    半導体ウェハーをコンパクトに梱包。薄ウェハーも安全に搬送可能。ANSI…

    ウェハーケース/ウェハー容器『プロトスキャリア』は、半導体ウェハーを安全かつ効率的に搬送できる製品です。 当社が培ってきたウェハー搬送のノウハウを基にデザインした梱包容器、 低パーティクル・低イオン素材を用いたスペーサー及び緩衝材を使用。 全ての材料に静電気対策が施されており、ANSI/ESD S541規格にも対応しています。 テストウェハーなどの小LOTからお客様のウェハー搬...

    メーカー・取り扱い企業: アキレス株式会社 工業資材販売部

  • アル株式会社 会社案内 製品画像

    アル株式会社 会社案内

    グロバールなネットワークでお客様をサポート!ALUがお届けします

    アル株式会社は、1990年、薄膜部品のレーザー加工分野をサポートする 技術商社として出発し、現在まで各種ウェハープロセス装置用の光源、互換部品、 部材、表面処理部品、計測及び測定機器、研究開発用スパッタリング装置を 輸入し、キーデバイスを製造する最前線のプロセス設計技術者のみなさんに お届して参りました。 今後とも進化し続けるニーズ、例えば製造現場のFA化、超微細加工、 センシン...

    メーカー・取り扱い企業: アル株式会社 本社

  • 【微細ガラス割断加工 ボロシリケートガラス ガラス切断加工部品】 製品画像

    【微細ガラス割断加工 ボロシリケートガラス ガラス切断加工部品】

    微細ガラス割断加工 ガラス切断加工

    【材質】 ボロシリケートガラス  【業界・使用用途】 電子・電機部品関連業界 自動車部品関連業界 半導体用精密部品の微細部品 【材寸】 厚さ1.3mm  3mm×3mm 【加工】 超短パルスレーザー加工 【特徴】 ボロシリケートガラスの割断加工です。 素材の厚み1.3mmのボロシリケートガラスで、耐熱性・耐薬品性に優れており理化学器具や台所用品などに用い...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社光機械製作所 HIKARI LASER LAB.

  • パワーデバイス(SiC)をチップ化 製品画像

    パワーデバイス(SiC)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化 製品画像

    高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • シリコンウェハ 製品画像

    シリコンウェハ

    2インチ;3インチ;4インチ;5インチ;6インチ;8インチ;12インチ…

    ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来(英語表記ではいずれもwafer)。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。 ...ウェハーの直径は50mm–300mmまでいくつかあり、この...

    メーカー・取り扱い企業: D&X株式会社

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