• セラミックス触媒による排気脱臭技術『セラ・ダイナミックス』 製品画像

    セラミックス触媒による排気脱臭技術『セラ・ダイナミックス』

    PR繰り返し使えて長寿命!自己再生能力を持つセラミックでカンタン悪臭対策!

    『セラ・ダイナミックス』は、セラミック触媒を使用し、 排気などのニオイを強力脱臭できる技術です。 空調ダクトや排ガスダクトに設置するだけで、悪臭、油ミスト、有機溶剤を 強力に吸着、分解、無害化し、悪臭防止法・PRTR・近隣対策ができます。 30万~40万種と言われる臭気成分に幅広く対応可能。 用途や臭気成分などの条件に合わせて選べる製品ラインアップも魅力です。 【『セラ・ダ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ファインセラ

  • 小型真空蒸着装置『HVE-100』【クリーンな成膜を実現!】 製品画像

    小型真空蒸着装置『HVE-100』【クリーンな成膜を実現!】

    PRクリーンな成膜が可能な小型真空蒸着装置!シャッタを具備しているので安定…

    『HVE-100』は省スペースな小型蒸着装置です。基板成膜面は下向きで 設置、抵抗加熱源からの蒸発で上向きに成膜する配置(デポアップ)です。 シャッタを具備しているので安定した状態で蒸着が可能です。 【特長】 ■高真空排気系:<10^-4Paの到達真空度でクリーンな成膜が可能 ■チャンバはメンテナンスしやすいようにSUS製で内部に防着板を配置 ■省スペース/小型化:W500×D39...

    • 2022-10-27_13h55_12.png
    • 2022-10-27_13h55_22.png
    • 2022-10-27_13h55_29.png
    • 2022-10-27_13h55_35.png
    • 2022-10-27_13h55_57.png
    • 2022-10-27_13h56_06.png

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ハイブリッジ 東京営業所

  • 2,000℃を超えるカーボン加熱炉の開発・設計・試作支援 製品画像

    2,000℃を超えるカーボン加熱炉の開発・設計・試作支援

    光ファイバの線引炉やガラス化炉で30年の実績がある加熱炉・加熱システム…

    主要部品の設計・溶接設計・検査方法 2.水路設計 3.簡易熱計算(電源容量、断熱材、冷却水量などの設計) 4.カーボンヒータの抵抗値の設計 5.電極設計 6.冷却水系統の設計 7.給気・排気系統の設計 8.運転モード設計 9.炉内の流れの設計指針(製品品質を考慮) 10.温度制御・温度分布測定方法 カーボンヒータ加熱炉の主な仕様 (1)最高温度:2,500℃ (2)ヒー...

    メーカー・取り扱い企業: プロセスD&Tラボ 千葉

  • 大型真空オーブン 製品画像

    大型真空オーブン

     高真空でも大気圧でも均一加熱、安定加熱 乾燥・脱ガス・ベーキング・ア…

    600mm□×600mmH/バッチの大量バッチ処理 炉内全面ヒーターの均一加熱 ドライポンプ+ターボ分子ポンプの完全ドライ排気系 高真空・低真空・大気圧の各圧力下での加熱処理対応 基板と目的に合わせて排気系・ガス系・処理温度・炉内構造・治具選択可能 ...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

  • 高真空アニール装置 「SAF-52T-II」 製品画像

    高真空アニール装置 「SAF-52T-II」

    生産の効率化、サイクルタイムの短縮が図れます。

    5MPa ○所要ガス (N2ガスリーク用)  供給圧:0.2MPa以上                設定圧:0.05~0.1MPa [性能] ○到達圧力 6.7×10-4Pa以下 (2槽排気) ○排気時間 6.7×10-3Pa迄20分 (2槽排気) ○最高温度 300℃ (試料用トレーの中央部の表面温度) ○常用温度 250℃ (試料用トレーの中央部の表面温度) ○温度調整精度...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社昭和真空

  • 真空炉『Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉』 製品画像

    真空炉『Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉』

    卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃! 還元雰囲…

    ◆装置構成◆ ご予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + コントロールボックス (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材(カーボン炉), タングス...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • 化合物半導体用電極膜アニール装置(可変雰囲気熱処理装置) 製品画像

    化合物半導体用電極膜アニール装置(可変雰囲気熱処理装置)

    化合物半導体の電極膜の合金化・低抵抗化に多用されている石英管タイプのア…

    の本格量産用途に対応した縦型タイプ(ウェハ自動搬送機構付)と4インチ以下のウェハに対応した横型タイプの2機種をラインナップ。 目的に合わせて開閉型の加熱炉体や急冷用空冷ファンの装備が可能で、高真空排気系・O2ガス系・APC機構など多くのオプション類を揃えています。 真空及び不活性雰囲気中の処理を標準としており、オプションで還元雰囲気中での処理にも対応いたします。 高真空排気後の大気圧水素雰囲...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

  • 真空ガス置換オーブン 製品画像

    真空ガス置換オーブン

    Class 1のクリーンな環境で複数枚のウェハを加熱処理 最大450…

    加熱することができます。 対流冷却機構  450PBの冷却は全てプロセスチャンバーの外部から行われ、処理されたワークが冷気に晒されることはありません。  チャンバーは、冷却エアインレットと排気ダクトを装備した独立キャビネットに囲まれています。  チャンバーを冷却して加熱されたエアは排気前に空冷と混合され、温度が下がった状態で排気されます。...

    メーカー・取り扱い企業: ハイソル株式会社

  • 水素アニール装置(電子デバイス用、サンプルテスト対応中) 製品画像

    水素アニール装置(電子デバイス用、サンプルテスト対応中)

    大気圧水素雰囲気中で均一加熱、。薄膜・ウェハ・化合物・セラミック基板、…

    6インチウェハ対応の石英管の横型炉を標準とし、8インチ、縦型炉がオプション対応 高真空排気系も装備可能で、より純度の高い還元雰囲気熱処理が可能。 実績豊富な機器構成に加えボートローダーやデータロギング機構などの周辺機器も豊富にラインアップ。 不活性雰囲気アニールにも対応できる専用アニ...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

  • スパッタリング装置『MiniLab-060』 製品画像

    スパッタリング装置『MiniLab-060』

    蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み…

    *ラージチャンバーオプションMiniLab-070(450 x 450 x 450) ・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可) ・最大基板サイズ:Φ8inch ・真空排気:真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源) ・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着:7ccるつぼx6(又は...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • 真空蒸着装置『MiniLab-090』(グローブボックス用) 製品画像

    真空蒸着装置『MiniLab-090』(グローブボックス用)

    グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570m…

    大基板サイズ:Φ10inch ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ:ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ(ドライポンプも可) ・真空排気:真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源) ・有機蒸着:最大4源(Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着源:7ccるつぼx6...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】 製品画像

    スパッタ・蒸着ソース複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

    スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに…

    着源x2 2. スパッタカソード + 有機蒸着源x2 3. スパッタカソード + 抵抗加熱源x1 + 有機蒸着源x1(*DCスパッタのみ) ・蒸着範囲:Φ4inch/Φ100mm ・真空排気系:ターボ分子ポンプ + 補助ポンプ(ロータリー、又はドライスクロールポンプ) ・基板回転、上下昇降ステージ ・Max500℃基板加熱ヒーター ・水晶振動子膜厚センサー ・7”タッチパネルH...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • 真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』 製品画像

    真空炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

    最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、…

    x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・一次側電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水:8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系:ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • 横型水素アニール装置(可変雰囲気熱処理装置) 製品画像

    横型水素アニール装置(可変雰囲気熱処理装置)

    小径ウェハ(4インチ)や化合物半導体のニッチプロセスに対応。結晶プロセ…

    化合物半導体のエピタキシャル層や研磨後のSiウェハのアニールなど特殊な用途に対応した専用アニール装置。 高真空排気後に大気圧まで水素のみで雰囲気置換を実施、高純度還元雰囲気中で高温(1000℃)均一加熱 ...

    メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店

  • MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃  製品画像

    MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃

    SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…

    ート自動プロセス運転(オプション) ・自動APC制御(オプション): -1) Upstreamコントロール:MFC供給量をPIDループ自動制御、又は -2) Downstreamコントロール:排気側開度自動調整 ・基板回転機構 ・SECS/GEM通信...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • 加圧RTA装置 製品画像

    加圧RTA装置

    基板加熱温度最高1000℃!基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減!

    :最大φ12インチ ■反応ガス:O2 、N2 、 H2O(オプション) ■基板加熱温度:最高1000 ℃(基板表面) ■加熱源:ハロゲンランプ ■昇温レート:最大150 ℃/sec ■真空排気:DP ■制御操作  ・制御:PLC  ・操作:タッチパネルまたはPC ■データロギング:外部メモリまたはPC ■基板搬送:大気搬送ロボット、冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧...

    メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社

  • 水素センサー、濃度計測、溶存水素、水素燃料 製品画像

    水素センサー、濃度計測、溶存水素、水素燃料

    用例;EVバッテリー開発(発生水素をオンライで計測)水素ジェット・ター…

    水素ガス限定、膜交換不要、メンテ・校正不要、自動校正、インライン用、OEM向け、水素検知、水素濃度計測、水素ガス分析、水素ジェット燃料BTU計測、水素ガスタービン混合比オンライン計測、FCV排気管内水素計測、水素発生装置、FC燃料電池性能評価装置、センサー自体が水素限定、誤信号ゼロ、防爆、IP64, IP68, 変圧器、新幹線用ー変圧器、支柱変圧器、DGA, 絶縁油保安、呼吸ガス、ドライキ...

    メーカー・取り扱い企業: TRANS-PAC SALES CORP

  • アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』 製品画像

    アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

    SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…

    ート自動プロセス運転(オプション) ・自動APC制御(オプション): -1) Upstreamコントロール:MFC供給量をPIDループ自動制御、又は -2) Downstreamコントロール:排気側開度自動調整 ・基板回転機構 ・SECS/GEM通信...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』 製品画像

    アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

    最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、…

    x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・一次側電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水:8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系:ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • RTA装置 製品画像

    RTA装置

    トレイ搬送にも対応可能!優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現

    基板サイズ:最大φ12インチ ■反応ガス:O2、N2、H2O(オプション) ■基板加熱温度:最高1000℃(基板表面) ■加熱源:ハロゲンランプ ■昇温レート:最大150℃/sec ■真空排気:DP ■制御操作  ・制御:PLC  ・操作:タッチパネルまたはPC ■データロギング:外部メモリまたはPC ■基板搬送:大気搬送ロボット・冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧...

    メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社

1〜18 件 / 全 18 件
表示件数
45件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >
  • icadtechnicalfair7th_1_pre2.jpg

PR