GaN | イプロスものづくり

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。【S...

メーカー・取り扱い企業：有限会社ケニックシステム東京オフィス

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが注目され、近...

メーカー・取り扱い企業：エムシーオー株式会社

『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

高効率・高耐圧GaNスイッチ研究開発にかかる労力、時間を削減

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaN RF半導体デバイス市場

GaN RF半導体デバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に1…

GaN RF半導体デバイス市場は、2022年に30億米ドルの市場価値から、2035年までに約110億米ドルに達すると推定されます。GaN RF半導体デバイスは、RF（Radio Frequency）アプリケーションで使用される電子部品です。携帯電話やWi-Fiルーターなどの通信機器に使用され、従来のシリコン系部品に比べ、高い電力効率と性能を実現しています。5G対応デバイスの需要増加とモノのインターネット...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT

最高水準の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度！

『CoolGaN 600V e-mode GaN HEMT』は、通信機器、データ通信、サーバSMPS に加え、ワイヤレス充電、充電器、アダプターなどに適している製品です。表面実装パッケージによるGaNス...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

『600V エンハンスモード GaN HEMTs』

スイッチング電源(SMPS)に最適な高効率窒化ガリウム(GaN) H…

Infineon Technologies社の『CoolGaN 600Vシリーズ』は、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、堅牢で信頼性の高いソリューションです。高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり・立ち下...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

GaN RF半導体デバイス市場の調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は、予測期間(2021-2026)にわた…

んどはまだ初期段階にある技術にもっと投資することができないかもしれません。モノのインターネット(IoT)の成長により、5Gネットワークの出現とさまざまな業界にわたる広範なアプリケーションは、RF GaN半導体市場に大きな成長機会を提供します IoT の実装を成功させるには、人間とコンピューターの対話なしにネットワーク経由でデータ転送する必要があります。IoTの実装の増加は信号の輻輳をもたら...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現

大容量ACアダプタの小型化に。45WのACアダプタと比較し約40％のパ…

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

GaN（窒化ガリウム）高周波非線形モデリング

アイ・エム・シーは、日本国内でのGaN（窒化ガリウム）デバイスの高周波…

化合物半導体のGaNデバイスは近年、その高速動作と高電力が扱えることで化合物半導体の主役となり、高周波・マイクロ波の増幅器用途で本格的な利用が始まっております。 ◆GaNデバイスの非線形モデル本格参入◆ 1....

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイ・エム・シー

GaNテンプレート（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）

MoCVD法で製造したGaNテンプレート（GaN薄膜、GaN厚膜）をご…

弊社のGaNテンプレート（GaN薄膜、GaN厚膜）は沢山の販売実績を重ねております。転位密度やXRD値など品質面や価格パフォーマンスでも高い競争力を確保しております。1枚からの研究開発用から数千枚の量産用まで...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

GaN 30W CWパワーSP4Tスイッチ

米国Tagore社製

パブリック・セーフティ、陸上移動通信、その他マルチバンド無線機等に最適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...周波数レンジ１MHｚ―2500MHz、インサーションロス0.55dB＠800MHz IIP3 +70dBm@800MHz、アイソレーション37dB＠800MHz、VDD 2.6－5.5V、４ｘ４ｍｍQFNパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただく...

メーカー・取り扱い企業：ファラッド株式会社

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

0Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする、機能安...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

CoolGaN 600V

先端の性能と優れた信頼性！シリコンよりも出力とゲート電荷が10倍低く、…

『CoolGaN 600V』は、魅力的なシステム全体のコストで堅牢で信頼性の高いシステム設計を実現する製品です。「GAN EiceDIVER IC」で「CoolGaN HEMT」を駆動すると、幅広いス...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

『LMG5200』

完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200…

『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの8...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

半導体材料『酸化ガリウム』

日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます

『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、高速な成長が可能な半導体材料です。気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が可能とされています。また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大き...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー本社

スーパーCMC半導体用ヒートシンク

銅とモリブデンのクラッド材による高熱伝導、低熱膨張の半導体用ヒートシン…

として期待されます。【S-CMCの特長】 ■日・米・中・欧にて特許取得済み、日・米・中にて商標登録を実施 ■Moの使用量は、目的により自由に選択可能で、ご希望の熱膨張率に対応可能 ■GaN要素を使用した衛星通信デバイスに10年以上の使用実績を有する ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社FJコンポジット

ワイドギャップ半導体

SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供

当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体であるワイドバンドギャップ半導体の製品・サービスを幅広く提...

メーカー・取り扱い企業：セラミックフォーラム株式会社

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は中国湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・...

メーカー・取り扱い企業：岡谷鋼機株式会社名古屋本店

半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置

物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺！反りの小さい半導体基板の製…

GaN基板の反りの問題が、低歩留まりによる高コスト化、及び低結晶品質、小面積の低品質を招き、その結果、GaN基板の普及を妨げる最大の要因となっています。当発明は、気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造することを課題としたものです。ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両...

メーカー・取り扱い企業：有限会社山口ティー・エル・オー

次世代型パワーモジュール汎用パッケージ【FLAP】

SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワ…

通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの...

メーカー・取り扱い企業：大分デバイステクノロジー株式会社

【RF設計者向け/半導体EOL】再設計を回避するためのサポート

アンプレオンのLDMOS/VDMOS/GaN1 パワートランジスタのエ…

ロチェスターは、325品番から構成される150万個以上のアンプレオンの完成品在庫を保有しています。さらに、製造中止品の再生産を行うためのウェハおよびダイの在庫も保有しています。当社が保有する製品は、オリジナル半導体メーカーに認定された正規品であり、保証されているため、長年にわたって入手が可能です。製品ポートフォリオ： BLF177 HF/VHF パワーMOSトランジスタ BLF278 ...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

【継続供給】Nexperiaのディスクリート、ロジック製品

20億個以上のNexperiaの現行品および製造中止品(EOL品)在庫…

らゆる電子設計で必要とされる部品である必須半導体の大量生産における第一人者です。 Nexperiaの幅広いポートフォリオには、ダイオード、バイポーラトランジスタ、ESD保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログおよびロジックICなどがあり、自動車業界が定める厳しい規定に適合しています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ハ…

SiGe Epi（濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です）＊~8インチ対応可能です。　＊Ge濃度：ご指定下さい＊基板にSiやSOIも使用可能です。 SOI、SiC、GaAs、GaN、InP、ゲルマニウム、サファイア、ガラス、その他ウェーハも対応可能です。成膜加工、Si各種加工品(特殊径・特殊厚み)、その他シリコンウェハ以外にも、化合物基板、高純度化学品、a-SiCパ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

Arsenic ○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm ○エピ厚さ：3-150μ 「多層EPIウェーハ加工」＊材料支給も対応可能です。＊数枚から加工可能です。＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。「SiGe Epiウェーハ」＊濃度と膜厚によりますが様々に対...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エナテック東京本社

【CHiPLUS】『製品案内』SRAM/DRAM/LDOなど◎

台湾のファブレスメーカー！SRAMやSDRAM、アナログ製品のLEDデ…

【CHiPLUS社製品群】 ■SRAM ・低消費SRAM ・高速超低消費SRAM ・擬似SRAM ・高速SRAM ■DRAM ・SDRAM ・DDR3 ■LDO　 ■LEDドライバーIC ■GaN FETゲートドライバIC ■照明用IC 詳細情報、サンプルは是非お問い合わせ下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

制御ソフトウェア開発用コントローラボード　HECS-B/A

コンパクトサイズに多彩な機能を搭載

ースボード：HC-EXIF-A ■HECS用操作ボード：HC-OP-A ＜主回路/ハーフブリッジ・双方向スイッチ＞ ■SiCパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2A-401350 ■GaNパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2B-401150 ■双方向スイッチ回路ブロック(SiC)：HGCB-2C-401100(単体)　HGCB-6C-401100(3枚筐体セット) ＜主...

メーカー・取り扱い企業：ヘッドスプリング株式会社

パワー半導体デバイスの調査レポート、トレンド分析

パワー半導体デバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に4％のC…

は、複数のフェーズでエネルギーをある形式から別の形式に変換するパワーエレクトロニクス回路マシンで使用される部品です。これらのコンポーネントは、ゲルマニウム、炭化ケイ素 (Sic)、窒化ガリウム (GaN) などの原材料で構成されています。パワー半導体デバイスは、衛星システム、無線通信、コンピュータシステム、電気駆動装置の高度な制御、アンテナ、ブロードバンド無線技術など、さまざまな分野で応用され...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

窒化ガリウムと炭化ケイ素のパワー半導体の世界市場レポート2023

窒化ガリウムと炭化ケイ素のパワー半導体に関するグローバル市場分析、市場…

要メーカーの市場シェアを重点的に分析する。過去データは2018年から2022年まで、予測データは2023年から2029年までです。コロナ禍によって、窒化ガリウムと炭化ケイ素のパワー半導体（GaN and SiC Power Semiconductor）の世界市場規模は2022年に1016.4百万米ドルと予測され、2029年まで、22.0%の年間平均成長率（CARG）で成長し、4199.3...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

デバイス市場調査によると、世界の家電産業は 2023 年末までに 10 億米ドルを超え、2030 年まで約 4% の安定した CAGR で成長すると試算されています。しかし、窒化ガリウム (GaN) などの代替品の入手可能性と利点により、予測期間中にこの市場の成長は抑制されると予想されます。...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

平面度　30nm【超精密ラップ】【鏡面研磨

極限の平面度を追求します！

、イットリア、PZT、PMN-PT　など樹脂：エンジニアリングプラスティックス全般、アクリル、ポリカ　　などガラス・結晶材料：石英、BK7、PYREX など半導体材料：Si、SiC、GaN　など上記にない材質も実績多数ですのでご相談くださいませ。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ティ・ディ・シー

モスアイ加工技術の応用

微細加工技術を匠の技に深化！

導体基板作製と評価の実施を行っております。ナノインプリント技術とドライエッチングにより、様々な材料・基板に適用可能です。【加工実績】 ■Sapphire ■SiC ■GaN ■InP ■AlGaInP　など ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：イー・アンド・イー・エボリューション株式会社営業拠点

GaNパワーデバイス『TP65H300G4LSG』

大容量ACアダプタの小型化に。45WのACアダプタと比較し約40％のパ…

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【半導体継続供給】メーカー認定のトランジスタ製品ソリューション

２０億個以上のトランジスタ製品在庫を保有/製造中止品(EOL品)の再生…

択が必要となります。シリコンベースのバイポーラ、MOSFET、およびIGBTトランジスタは昔からほとんどのアプリケーションでの用途をカバーしてきましたが、最近ではSiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）も選択肢として追加されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.