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前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能
ら深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去してから分析することが有効です。本資料では、 InP/InGaAs系 SHBT(Single Heterojunction Bipolar Transistor)試料について、選択的かつ段階的に層を除去した例を示します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Scanning Microwave Microscopy
20cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・キャリア濃度に線形に相関した信号が得られるため、仮定のもとに定量 評価(半定量)が可能 ・AFM像の取得も可能 ・Si, SiC, GaN, InP, GaAs 等の各種半導体が計測可能 この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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濃度の変化をCの変化として検出!dC/dV信号も取得でき、拡散層の解析…
酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C:Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV:拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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